2N7002LT1G n채널 MOSFET 트랜지스터, 115mA 금속 산화막 반도체 계 효과 트랜지스터
제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 60 Ｖ 115mA (Tc) 225mW (Ta) 표면 부착 SOT-23-3 (TO-236)
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
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결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
상품 종류:
MOSFET
하위범주:
MOSFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
Rds에 - 드레인-소스 저항:
7.5 오옴
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
1V
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
도입
2N7002LT1G Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 60V 115mA 엔-채널
특징
자동차와 다른 적용 요구 유니크 사이트를 위한 오우 2V 접두사와 제어 변환 요구 ; 자격 있는 AEC-Q101과 유능한 PPAP (2V7002L)
오우 이러한 장치가 Pb-프리, 무독성 / BFR 자유롭고, 로에스 순응합니다
최대 정격
|
평가 |
기호 |
가치 |
유닛 |
|
드레인-소스 전압 |
VDS |
60 |
프디시 |
|
드레인 게이트 전압 (RGS = 1.0 MW) |
VDGR |
60 |
프디시 |
|
드레인전류 |
ID ID IDM |
± 115 ± 75 ± 800 |
마드크 |
|
게이트-소스 전압 |
VGS VGSM |
± 20 ± 40 |
프디시 프피크 |
열특성
|
특성 |
기호 |
맥스 |
유닛 |
|
전체 소자 산재 FR-5 이사회 (노트 3) TA = 25' Ｃ 열 저항, 접속 대 주위 |
PD 르큐자 |
225 1.8 556 |
mW mW/' Ｃ 'C/W |
|
전체 소자 산재 열 저항, 접속 대 주위 |
PD 르큐자 |
300 2.4 417 |
mW mW/' Ｃ 'C/W |
|
결합과 저장 온도 |
TJ, 트스트그 |
- +150에 대한 55 |
'Ｃ |
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