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CSD18534Q5A 논리 레벨 Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 60V N-치 네스페트 Pwr MOSFET

제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
채널 모드:
향상
구성:
단일
최소 동작 온도:
- 55 C
최대 작업 온도:
+ 150 C
패키징:
컷 테이프
브랜드:
텍사스 인스트루먼츠 사
하이라이트:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

도입

CSD18534Q5A Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 60V N-치 네스페트 Pwr MOSFET

1가지 특징

  • 극히 낮은 큐그와 큐그드
  • 저열 저항

  • 쇄도는 평가되었습니다

  • 논리 레벨

  • 납프리 단자 도금

  • 순응한 로에스

  • 무독성

  • 손흥민 5 밀리미터 × 6 밀리미터 플라스틱 패키지

2 애플리케이션

  • DC-DC 변환

  • 2차 측면 동기 정류기

  • 고립된 변환기 1차 측면 스위치

  • 모터 콘트롤

3가지 기술

이 7.8 mΩ, 60 V, 아들 5 × 6 밀리미터 네스펫텀 파워 모스펫은 전력 변환 응용에서 손실을 최소화하도록 설계됩니다.

생산 요약법

TA = 25' C

표준값

유닛

VDS

드레인 대 소스 전압

60

큐그

게이트전하 전체 (10 V)

17

nC

큐그드

게이트전하 드레인 게이트

3.5

nC

RDS (계속)

드레인-소스 온 저항

VGS = 4.5 V

9.9

VGS =10V

7.8

VGS(th)

문턱 전압

1.9

명령 정보

장치

수량

매체

패키지

선박

CSD18534Q5A

2500

13-인치 릴

손흥민 5 밀리미터 × 6 밀리미터 플라스틱 패키지

테이프와 릴

CSD18534Q5AT

250

7-인치 릴

절대 최대 정격

TA = 25' C

가치

유닛

VDS

드레인 대 소스 전압

60

VGS

게이트-소오스 전압

±20

ID

연속배수 경향 (제한된 패키지)

50

A

연속배수 경향 (제한된 실리콘), TC = 25' C

69

연속배수 경향, TA = 25' C(1)

13

IDM

펄스용 드레인전류, TA = 25' C(2)

229

A

PD

전원 산재(1)

3.1

전력 소모, TC = 25' C

77

TJ, 트스트그

결합, 저장 온도를 운영하기

-55 내지 150

'C

EAS

에벌런치 에너지, 단일 펄스 ID =40A,L=0.1mH, RG =25Ω

80

마제이

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