CSD87312Q3E 2 채널 MOSFET 파워 트랜지스터 듀얼 30V N-CH 네스페트 Pwr 모스페트스
제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET 2N-ch 30V 27A 8VSON
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
채널 모드:
향상
구성:
듀얼
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 125 Ｃ
트랜지스터 극성:
엔-채널
채널 수:
2개 채널
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
도입
CSD87312Q3E Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 듀얼 30V N-CH 네스페트 Pwr 모스페트스
특징
- 코먼소스콘킨 에션
- 배수 온 저항에 대한 Ｌ 오우 Ｗ 배수 우라이트르
- 손흥민 3.3 Ｘ 3.3 밀리미터 플라스틱 패키지를 구하는 공간
- 5V 게이트 드라이브에 대해 최적화됩니다
- 저열 저항
- 쇄도는 평가되었습니다
- 납프리 단자 도금
- 순응한 로에스
- 무독성 앱
애플리케이션
- 노트북을 위한 어댑터 / USB 입력 보호
- PC와 태블릿
생산 요약법
|
TA = 25' Ｃ |
표준값 |
유닛 |
||
|
VDS |
소스 전압에 고갈되세요 |
30 |
Ｖ |
|
|
큐그 |
게이트전하 전체 (4.5V) |
6.3 |
nC |
|
|
큐그드 |
게이트전하 게이트가 고갈됩니다 |
0.7 |
nC |
|
|
RDD (계속) |
저항 (Q1+Q2)에 고갈되기 위해 고갈되세요 |
VGS = 4.5V |
31 |
mΩ |
|
VGS = 8V |
27 |
mΩ |
||
|
VGS(th) |
문턱 전압 |
1.0 |
Ｖ |
|
명령 정보
|
장치 |
패키지 |
매체
|
수량 |
선박 |
|
CSD87312Q3E |
손흥민 3.3 Ｘ 3.3 밀리미터 플라스틱 패키지 |
13-In ch 릴 |
2500 |
테이프와 릴 |
절대 최대 정격
|
TA = 25' Ｃ |
가치 |
유닛 |
|
|
VDS |
소스 전압에 고갈되세요 |
30 |
Ｖ |
|
VGS |
소스 전압에 대한 게이츠 |
+10/-8 |
Ｖ |
|
ID |
(1) 연속배수 경향, TC = 25' Ｃ |
27 |
A |
|
IDM |
펄스용 드레인전류 (2) |
45 |
A |
|
PD |
전력 소모 |
2.5 |
Ｗ |
|
TJ, TSTG |
결합과 보존온도범위를 운영하기 |
-55 내지 150 |
'Ｃ |
|
EAS |
에벌런치 에너지, 단일 펄스 ID =24A,L=0.1mH, RG =25Ω |
29 |
마제이 |
기술
CSD87312Q3E는 30V 공통-소오스입니다, 듀얼 n채널 소자가 어댑터 / USB 입력 보호의 설계를 했습니다. 이 손흥민 3.3 Ｘ 3.3 밀리미터 기기는 손실을 최소화하는 온 저항을 배수하기 위해 낮은 배수를 가지고 있고 한정된 다중 셀 배터리가 앱을 고발하는 공간을 위한 저 성분 총수를 제공합니다.
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