CSD87335Q3D 30 Ｖ n채널 Mosfet IC 동기식 벅 네스페트 세력 블록 8 LSON-CLIP -55 내지 150
제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET 2N-ch 30V 8LSON
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
채널 모드:
향상
구성:
듀얼
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
큐그 - 게이트전하:
5.7 nC, 10.7 nC
브그스 - 게이트-소스 전압:
10 Ｖ
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
도입
CSD87335Q3D Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 30-V 동기식 벅 네스페트 세력 블록 8 LSON-CLIP -55 내지 150
1가지 특징
- 하프-브리지 세력 블록
-
27-V VIN까지
-
15 A에 있는 93.5% 시스템 효율
-
25-A 작동까지
-
고주파 작동 (최고 1.5까지 마하즈)
-
고밀도 손흥민 3.3 밀리미터 × 3.3 밀리미터 발자국
-
5-V 게이트 드라이브에 대해 최적화됩니다
-
저스위칭 손실
-
극히 낮은 인덕턴스 패키지
-
순응한 로에스
-
무독성
-
무연 단자 도금
2 애플리케이션
-
동기식 벅 변환기
-
- 고주파수 애플리케이션
-
- 고전류, 저듀티 주기 적용
-
-
다중상 동기식 벅 변환기
-
POL 직류-직류 변환기
-
IMVP와 VRM과 해군 의용 예비 장교 훈장 애플리케이션
3가지 기술
CSD87335Q3D 네스펫텀 세력 블록은 작은 3.3 밀리미터 × 3.3 밀리미터 개요로 고전류, 효율이 높은과 높은 주파수 성능을 제공하는 동기식 벅 적용을 위한 최적화된 설계입니다. 5-V 게이트 드라이브 적용, 이 제품을 위한 옵티미즈드는 외부 제어기 또는 운전자로부터의 어떠한 5-V 게이트 드라이브과도 쌍을 이룰 때 고밀도 전원 공급기를 제공할 수 있는 유연한 솔루션을 제공합니다.
장치 정보
|
장치 |
매체 |
수량 |
패키지 |
선박 |
|
CSD87335Q3D |
13-인치 릴 |
2500 |
손흥민 3.30 밀리미터 × 3.30 밀리미터 플라스틱 패키지 |
테이프와 리 |
|
CSD87335Q3DT |
7-인치 릴 |
250 |
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