FDC3535 고속 Mosfet 트랜지스터 회로, Mosfet 모터 제어 회로
상술
단일 가중치:
0.001270 온스
상품 종류:
MOSFET
최소 동작 온도:
- 55 C
최대 작업 온도:
+ 150 C
구성:
단일
Pd - 전력 소모:
1.6W
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
도입
FDC3535 Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET MOSFET ; -80V P-찬 파워트렌치
특징
- MaxrDS(on) =183mΩatVGS =-10V, ID =-2.1A
- MaxrDS(on) =233mΩatVGS =-4.5V, ID =-1.9A
- 극단적으로 낮은 rDS(on)를 위한 고성능 트렌치 기술
- 넓게 사용된 표면 실장 패키지에서 고전력과 전류 핸들링 능력
- 고속 스위칭 속도
- 100% UIL은 시험을 받았습니다
- 순응한 로에스
일반 설명
이 P-채널 MOSFET은 rDS(on), 접속품질과 거침성에 대해 최적화된 페어 차일드 반도체의 진보적 힘 Trench® 과정을 사용하여 생산됩니다.
애플리케이션
- 로드 스위치
- 동기 정류기
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