FDMS3662 Mosfet 드라이버 사용하는 트랜지스터 100V 엔-채널 파워트렌치
제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 100 Ｖ 8.9A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 표면 부착 8-pqfn (5x6)
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
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결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
단일 가중치:
0.002402 온스
상품 종류:
MOSFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 155 Ｃ
Rds에 - 드레인-소스 저항:
14.8 모엠에스
브그스 - 게이트-소스 전압:
20 Ｖ
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
도입
FDMS3662 Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 100V 엔-채널 파워트렌치
특징
- VGS = 10V, ID = 8.9A에 있는 맥스 rDS(on) = 14.8mΩ
- 진보적 패키지와 낮은 rDS(on)를 위한 실리콘 조합
- MSL1 강건한 패키지 설계
- 100% UIL은 시험을 받았습니다
- 순응한 로에스
일반 설명
이 엔-채널 MOSFET은 아직 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 맞춰진 페어 차일드 반도체의 진보적 힘 Trench® 과정을 사용하여 생산되고 뛰어난 접속품질을 유지합니다.
애플리케이션
- DC - 직류변환기
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