반도체 25 Ｖ 0.22 위의 FDV301N 디지털 Mosfet 파워 트랜지스터 N-치 연속적인 것
제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 25 Ｖ 220mA (Ta) 350mW (Ta) 표면 부착 SOT-23-3
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
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결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
단일 가중치:
0.001093온스
상품 종류:
MOSFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
제조사:
ON 반도체
상품 카테고리:
MOSFET
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
도입
FDV301N Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET N-치 디지털
특징
- 25 Ｖ, 0.22 연속적인 것, 성수기 당 0.5. =5Ω@VGS=2.7V (의) RDS
- VGS= 4.5 Ｖ에 있는 = 4 Ω (의) RDS.
- 직접적이어서 인정하는 매우 낮은 수준 게이트 드라이브 요구
- 3V 회로에서 작동. VGS(th) < 1="">
- ESD 거침성을 위한 게이트-소스 제너. >6kV 휴먼 바디 모델
- 다수 NPN 디지털 트랜지스터를 한 이중 확산 금속 산화물 반도체 FET으로 대체하세요.
일반 설명
이 엔-채널 논리 레벨 증가 모드 FET은 페어 차일드의 독점적, 높은 셀밀도, 이중 확산 금속 산화물 반도체 기술을 사용하여 생산됩니다. 이 초고밀도 과정은 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 맞춰집니다. 이 장치는 디지털 트랜지스터을 대체로서 저전압 응용을 위해 특히 설계되었습니다. 바이어스 저항기가 요구되지 않기 때문에, 이것 n-채널 전계효과 트랜지스터는 다양한 바이어스 저항기 가치로, 여러 다른 디지털 트랜지스터를 대체할 수 있습니다.
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