FDMS86181 n채널 MOSFET 트랜지스터, Mosfet 모터 드라이버 회로 보호해야 하는 게이트
제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 100 Ｖ 44A (Ta), 124A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 표면 부착 8-pqfn (5x6)
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
단일 가중치:
0.003175 온스
상품 종류:
MOSFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
채널 모드:
향상
구성:
단일
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
도입
FDMS86181 Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 100V/20V 엔 -치킨들 전원 트렌치 MOSFET
특징
- 보호해야 하는 게이트 모스펫 기술
- MaxrDS(on) =4.2mΩat VGS =10V, ID =44A
- MaxrDS(on) =12mΩat VGS =6V, ID =22A
- 추가
- 50%
- 다른 MOSFET 공급자들 로우어 전환 소음 / EMI 보다 더 낮은 큐르르
- MSL1 강건한 패키지 설계
- 100% UIL은 시험을 받았습니다
- 순응한 로에스
일반 설명
이 엔-채널 MV MOSFET은 보호해야 하는 게이트 기술을 장려하는 페어 차일드 반도체의 진보적 PowerTrench® 과정을 사용하여 생산됩니다. 이 과정은 온-상태 저항을 최소화하고 아직 최고 수준 연조직 다이오드와 뛰어난 접속품질을 유지하기 위해 최적화되었습니다.
애플리케이션
- 중요한 DC-DC MOSFET
- DC-DC와 교류 직류 모터 드라이브의 동기 정류기
- 태양 에너지
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