FDS6681Z 고전력 Ｐ Mosfet 스위치 회로, p 채널 Mosfet 드라이버
제조 업체:
제조업자
기술:
P-채널 30 Ｖ 20A (Ta) 2.5W (Ta) 표면 부착 8-soic
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
단일 가중치:
0.004586 온스
상품 종류:
MOSFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
채널 수:
1개 채널
트랜지스터 극성:
P-채널
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
도입
FDS6681Z Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 30V P-채널 파워트렌치 MOSFET
일반 설명 특징
이 P-채널 MOSFET은 온-상태 저항을 최소화하기 위해 특히 맞춰진 페어 차일드 반도체의 진보적 PowerTrench® 공정을 사용하여 생산됩니다.
이 장치는 전원관리와 노트북 컴퓨터와 가지고 다닐 수 있는 건전지 팩에 일반적인 부하 개폐 적용에 잘 적합합니다.
특징
배터리 응용을 위한 오우 확대된 VGSS 범위 (-25V)
오우 고성능이 극단적으로 기술을 판 8kV 전형적 (기록 3)의 오우 HBM ESD 보호 수준
낮은 RDS(ON)
오우 고전력과 전류 핸들링 능력
오우 터미네이션이스리드 -프리안드로슈컴플라트
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