FDT3612 고전압 Mosfet 파워 트랜지스터 나치 파워트렌치 단일 구성
제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 100 Ｖ 3.7A (Ta) 3W (Ta) 표면 부착 SOT-223-4
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
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결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
단일 가중치:
0.003951 온스
상품 종류:
MOSFET
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
구성:
단일
채널 모드:
향상
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
도입
FDT3612 Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 100V 나치 파워트렌치
일반 설명
이 엔-채널 MOSFET은 특히 각각 동시에 일어나는 전통적 스위칭 PWM 제어부들을 이용하여 DC / dc 컨버터의 전반적인 효율성을 향상시키도록 설계되었습니다.
이러한 MOSFET은 비슷한 RDS(ON) 상술과 다른 MOSFET 보다 더 빠른 스위칭과 하층 게이트 요금을 특징으로 합니다. 결과는 운전하도록 쉽고 안전한 MOSFET이 (심지어 매우 높은 주파수로)과 DC / DC 전력이 설계에 더 높은 전반적인 효율성을 공급합니다.
애플리케이션
오우 DC/DCconverter
오우 모토르드라이빙
특징
- 3.7A,100V. =130mΩ@VGS =6V (의) =120mΩ@VGS =10V RDS (의) RDS
- 패스트스위칭스피드
- lowgatecharge(14nCtyp)
- 하이퍼포먼스트렌치테크놀로지포엑스트레메리 낮은 RDS(ON)
- 넓게 사용된 표면 실장 패키지에서 고전력과 전류 핸들링 능력
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