CSD17578Q3A 증가하는 방식 Mosfet 파워 트랜지스터 30 Ｖ 8-vsonp
제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
채널 모드:
향상
구성:
단일
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
최대 작업 온도:
+ 150 Ｃ
증가하는 방식:
증가하는 방식
기술:
Si
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
도입
CSD17578Q3A Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET CSD17578Q3A 30 Ｖ 8-vsonp
1가지 특징
- 낮은 큐그와 큐그드
-
낮은 RDS (계속)
-
저열 저항
-
쇄도는 평가되었습니다
-
Pb-프리
-
순응한 로에스
-
무독성
-
손흥민 3.3 밀리미터 × 3.3 밀리미터 플라스틱 패키지
2 애플리케이션
-
네트워킹과 통신과 컴퓨팅 시스템에 적용하기 위한 부하 동기식 벅 변환기의 시점
-
제어 전계 효과 트랜지스터 적용에 대해 최적화됩니다
3가지 기술
이 30 Ｖ, 6.3 mΩ, 네스펫텀 파워 모스펫이 전력 변환 응용에서 손실을 최소화하도록 설계되는 아들 3.3 밀리미터 × 3.3 밀리미터.
생산 요약법
| TA = 25' Ｃ | 표준값 | 유닛 | ||
| VDS | 드레인 대 소스 전압 | 30 | Ｖ | |
| 큐그 | 게이트전하 전체 (4.5 V) | 7.9 | nC | |
| 큐그드 | 게이트전하 게이트가 고갈됩니다 | 1.7 | nC | |
| RDS (계속) | 드레인-소스 온 저항 | VGS = 4.5 Ｖ | 8.2 | mΩ |
| VGS =10V | 6.3 | mΩ | ||
| VGS(th) | 문턱 전압 | 1.5 | Ｖ | |
명령 정보
|
장치 |
매체 |
수량 |
패키지 |
선박 |
|
CSD17578Q3A |
13-인치 릴 |
2500 |
손흥민 3.3 Ｘ 3.3 밀리미터 플라스틱 패키지 |
테이프와 릴 |
|
CSD17578Q3AT |
7-인치 릴 |
250 |
절대 최대 정격
|
TA = 25' Ｃ |
가치 |
유닛 |
|
|
VDS |
드레인 대 소스 전압 |
30 |
Ｖ |
|
VGS |
게이트-소오스 전압 |
±20 |
Ｖ |
|
ID |
연속배수 경향 (제한된 패키지) |
20 |
A |
|
연속배수 경향 (제한된 실리콘), TC = 25' Ｃ |
54 |
||
|
연속배수 경향(1) |
14 |
||
|
IDM |
펄스용 배수 경향(2) |
142 |
A |
|
PD |
전원 산재(1) |
2.5 |
Ｗ |
|
전력 소모, TC = 25' Ｃ |
37 |
||
|
TJ, 트스트그 |
작동 접합 온도, 저장 온도 |
-55 내지 150 |
'Ｃ |
|
EAS |
에벌런치 에너지, 단일 펄스 ID =22A,L=0.1mH, RG =25Ω |
24 |
마제이 |
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