MMSZ5241BT1G Mosfet 파워 트랜지스터 제너 다이오드 11V 500mW
제조 업체:
제조업자
기술:
다이오드 제너 11V 500MW SOD123
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
제조사 장비:
ON 반도체
증가하는 방식:
SMD / SMT
패키지 / 건:
SOD-123-2
Pd - 전력 소모:
500 mW
전압 허용 오차:
5 %
제너 전류:
2 uA
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
도입
MMSZ5241BT1G Mosfet 파워 트랜지스터 제너 다이오드 11V 500mW
특징
FR-4 또는 FR-5 이사회에 평가되는 오우 500 mW
오우 넓은 제너 역 전압 범위 - 열식에 있는 110 Ｖ에 대한 2.4 Ｖ
Equilibrium*
오우 패키지는 최적 자동화된 보드 조립품의 설계를 했습니다
고밀도 어플리케이션을 위한 오우 소규모 포장물 크기
오우 범용, 중전류
휴먼 바디 모델 당 등급 3 (> 16 kV)의 오우 ESD 평가
자동차와 다른 애플리케이션 요구 유일한것을 위한 오우 SZ 접두사
사이트와 제어 변환 요구 ; AEC-Q101은 자격을 주었습니다고
유능한 PPAP
오우 이것들이 Pb-프리 Devices*입니다
최대 정격
|
평가 |
기호 |
맥스 |
유닛 |
|
FR-5 이사회 위의 전력 총손실, TL = 75' Ｃ에 있는 (주기 1) |
PD |
500 6.7 |
mW mW/' Ｃ |
|
열 저항, 접속 대 주위 (기록 2) |
르큐자 |
340 |
'C/W |
|
열 저항, 리드 (기록 2)에 대한 결합 |
르큐주들 |
150 |
'C/W |
|
결합과 보존온도범위 |
TJ, 트스트그 |
+150에 대한 -55 |
'Ｃ |
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