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급속한 MURS120T3G Mosfet 파워 트랜지스터 정류기 200V 1A

제조 업체:
제조업자
기술:
다이오드 일반정보 PURP 200V 1A SMB
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
제조사 장비:
ON 반도체
증가하는 방식:
SMD / SMT
패키지 / 건:
SMB-2
Vr - 역 전압:
200 V
면 - 순방향 전류:
2 A
타입:
패스트 리커버리 정류기
하이라이트:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

도입

급속한 MURS120T3G Mosfet 파워 트랜지스터 정류기 200V 1A

특징

  • 제이밴드형 리드와 작은 콤팍트 곡면 탑재 가능 패키지

  • 자동화된 핸들링을 위한 직사각형 패키지

  • 높은 온도 유리 패시베이트된 결합

  • 낮은 순방향 전압 강하 (한 1.0, TJ = 150' C에 있는 0.71 내지 1.05 V 맥스)

  • NRVUS와 자동차와 다른 애플리케이션을 위한 SURS8 접두사가 유니크 사이트와 제어 변환 요구를 요구합니다 ; 자격 있는 AEC-Q101과 유능한 PPAP

  • 이러한 장치는 Pb-프리, 무독성 / BFR 자유롭고, 로에스 순응합니다

기계적 특성 :

  • 경우 : 성형되는 에폭시

  • 중량 : 95 마그네슘 (앱르옥사이메이트리)

  • 끝나세요 : 모든 외표면 내부식과 단자 인입선은 즉시 솔더링 가능합니다

  • 리드와 납땜 목적을 위한 장착 표면 온도 :260' C 맥스. 10 초 동안

    • 극성 : 극성 밴드는 음극 리드를 보여줍니다

    • ESD 평가 :

      * HumanBodyModel=3B(>8kV) * MachineModel=C(>400V)

최대 정격

평가

기호

MURS/SURS8/NRVUS

유닛

105T3

110T3

115T3

120T3

140T3

160T3

피크 역전압 직류 전원 차단 전압으로 일하는 최대 반복 역전압

VRRM VRWM VR

50

100

150

200

400

600

평균은 순방향 전류를 수정했습니다

(AV) 면

1.0 TL = 145' C에 있는 TL = 155' C 2.0에

1.0 TL = 125' C에 있는 TL = 150' C 2.0에

A

피크비 반복 과전류, (정격 부하 상태 반파, 단일 상, 60 Hz에 적용된 상승)

IFSM

40

35

A

작동 접합 온도

TJ

*65 내지 +175

'C

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