급속한 MURS120T3G Mosfet 파워 트랜지스터 정류기 200V 1A
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
급속한 MURS120T3G Mosfet 파워 트랜지스터 정류기 200V 1A
특징
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제이밴드형 리드와 작은 콤팍트 곡면 탑재 가능 패키지
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자동화된 핸들링을 위한 직사각형 패키지
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높은 온도 유리 패시베이트된 결합
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낮은 순방향 전압 강하 (한 1.0, TJ = 150' C에 있는 0.71 내지 1.05 V 맥스)
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NRVUS와 자동차와 다른 애플리케이션을 위한 SURS8 접두사가 유니크 사이트와 제어 변환 요구를 요구합니다 ; 자격 있는 AEC-Q101과 유능한 PPAP
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이러한 장치는 Pb-프리, 무독성 / BFR 자유롭고, 로에스 순응합니다
기계적 특성 :
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경우 : 성형되는 에폭시
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중량 : 95 마그네슘 (앱르옥사이메이트리)
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끝나세요 : 모든 외표면 내부식과 단자 인입선은 즉시 솔더링 가능합니다
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리드와 납땜 목적을 위한 장착 표면 온도 :260' C 맥스. 10 초 동안
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극성 : 극성 밴드는 음극 리드를 보여줍니다
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ESD 평가 :
* HumanBodyModel=3B(>8kV) * MachineModel=C(>400V)
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최대 정격
평가 |
기호 |
MURS/SURS8/NRVUS |
유닛 |
|||||
105T3 |
110T3 |
115T3 |
120T3 |
140T3 |
160T3 |
|||
피크 역전압 직류 전원 차단 전압으로 일하는 최대 반복 역전압 |
VRRM VRWM VR |
50 |
100 |
150 |
200 |
400 |
600 |
V |
평균은 순방향 전류를 수정했습니다 |
(AV) 면 |
1.0 TL = 145' C에 있는 TL = 155' C 2.0에 |
1.0 TL = 125' C에 있는 TL = 150' C 2.0에 |
A |
||||
피크비 반복 과전류, (정격 부하 상태 반파, 단일 상, 60 Hz에 적용된 상승) |
IFSM |
40 |
35 |
A |
||||
작동 접합 온도 |
TJ |
*65 내지 +175 |
'C |

W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI

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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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![]() |
새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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