급속한 MURS320T3G Mosfet 파워 트랜지스터 정류기 200V 3A
제조 업체:
제조업자
기술:
다이오드 200 Ｖ 3A 표면 부착 SMC
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
제조사 장비:
ON 반도체
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
최소 동작 온도:
- 65 Ｃ
회복 시간:
35 나노 초
Ir - 역전류:
5uA
맥스 과전류:
100 A
하이라이트:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
도입
급속한 MURS320T3G Mosfet 파워 트랜지스터 정류기 200V 3A
특징
-
제이밴드형 리드와 작은 콤팍트 곡면 탑재 가능 패키지
-
자동화된 핸들링을 위한 직사각형 패키지
-
높은 온도 유리 패시베이트된 결합
-
낮은 순방향 전압 강하 (한 1.0, TJ = 150' Ｃ에 있는 0.71 내지 1.05 Ｖ 맥스)
-
NRVUS와 자동차와 다른 애플리케이션을 위한 SURS8 접두사
유니크 사이트와 제어 변환 요구를 요구하기 ;
자격 있는 AEC-Q101과 유능한 PPAP
-
이러한 장치는 Pb-프리, 무독성 / BFR 자유롭고, 로에스입니다
순응합니다
기계적 특성 :
-
경우 : 성형되는 에폭시
-
중량 : 95 마그네슘 (앱르옥사이메이트리)
-
끝나세요 : 모든 외표면 내부식과 단자 인입선은 즉시 솔더링 가능합니다
-
리드와 납땜 목적을 위한 장착 표면 온도 :
-
극성 : 극성 밴드는 음극 리드를 보여줍니다
-
ESD 평가 :
* HumanBodyModel=3B(>8kV)
* MachineModel=C(>400V)
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