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NTMFS4833NT1G Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM

제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 30 V 16A (Ta), 156A (Tc) 910mW (Ta), 125W (Tc) 표면 부착 5-dfn (5x6) (8-sofl)
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
제조사 장비:
ON 반도체
길이:
4.9 밀리미터
높이:
1.05 밀리미터
패키징:
채널 모드:
향상
구성:
단일
하이라이트:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

도입

NTMFS4833NT1G Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM

특징

도통 손실을 최소화하기 위한 (계속) 오우 낮은 RDS
오우 저용량이 운전자 손실을 최소화합니다
오우 최적화된 게이트전하가 스위칭 로스를 최소화합니다

오우 이것들이 Pb-프리 장치입니다

애플리케이션

오우는 응용 노트 AND8195/D를 언급합니다

오우 CPU 동력 전달
오우 직류-직류 변환기
오우 낮은 쪽 스위칭

최대 RATINGS (TJ = 25' C 그렇지 않았다면 말해지고지 않는다면)

매개 변수

기호

가치

유닛

드레인 대 소스 전압

VDS

30

게이트-소오스 전압

VGS

±20

연속적인 드레인전류 르큐자 (주기 1)

지속 상태

TA = 25' C

ID

28

A

TA = 85' C

20.5

전력 소모 르큐자 (주기 1)

TA = 25' C

PD

2.7

연속적인 드레인전류 르큐자 (기록 2)

TA = 25' C

ID

16

A

TA = 85' C

12

전력 소모 르큐자 (기록 2)

TA = 25' C

PD

1.1

연속적인 드레인전류 르큐주크 (주기 1)

TC = 25' C

ID

191

A

TC = 85' C

138

전력 소모 르큐주크 (주기 1)

TC = 25' C

PD

113.6

펄스용 드레인전류

TA = 25' C, tp =10ms

IDM

288

A

결합과 저장 온도를 운영하기

TJ, TSTG

+150에 대한 -55

'C

전원 전류 (바디 다이오드)

되세요

104

A

dV/dt의 출처를 밝히기 위해 고갈되세요

dV/dt

6

V/ns

단일 펄스 드레인 대 소스 에벌런치 에너지 (TJ =25' C, VDD =30V, VGS =10V, IL = 35 압크, L = 1.0 mH, RG = 25 W)

EAS

612.5

마제이

납땜 목적 (10 S 동안 경우로부터의 1/8′′)을 위한 온도를 이끄세요

TL

260

'C

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