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STP55NF06 Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET N-치 60 볼트 55 Amp

제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
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결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
Rds에 - 드레인-소스 저항:
18 모엠에스
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
2 V
브그스 - 게이트-소스 전압:
10 V
큐그 - 게이트전하:
44.5 nC
최소 동작 온도:
- 55 C
최대 작업 온도:
+ 175 C
하이라이트:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

도입

STP55NF06 Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET N-치 60 볼트 55 Amp

특징

순서 코드 VDS 최대 (의) RDS. ID
STB55NF06 60 V < 0="">50 A
STP55NF06
STP55NF06FP

1. R번째가지 가치로 인해 FP-타입 위의 최대 허용 전류 값을 위해 소아를 언급하세요

  • 시험된 100% 쇄도
  • 예외적 드프 / dt 역량

애플리케이션

  • 교환 응용

기술

이러한 파워 모스펫은 ST마이크로일렉트로닉스의 유일한 스트립페트 과정을 사용하여 개발되었으며, 그것이 특히 입력 커패시턴스와 게이트전하를 최소화하도록 설계됩니다. 이것은 통신과 컴퓨터 애플리케이션을 위한 진보적 효율이 높은 고립된 DC dc 컨버터에서 주 스위치로 사용하기 위해 장치가 적당하게 하고 낮은 게이트와 앱이 요구를 운전하여 청구합니다.

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