SS26T3G Mosfet 파워 트랜지스터 쇼트키 다이오드와 정류기 2A 60V
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
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결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
Ifsm - 순방향 서지 전류:
40 A
Vf - 순방향 전압:
0.63 Ｖ
Vrrm - 반복 역전압:
60 Ｖ
면 - 순방향 전류:
2 A
패키지 / 건:
SMB
기술:
Si
하이라이트:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
도입
SS26T3G Mosfet 파워 트랜지스터 쇼트키 다이오드와 정류기 2A 60V
특징
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자동화된 핸들링에 이상적인 제이밴드형 리드와 소형 패키지
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대단히 안정적인 산화물 패시베이트된 결합
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과전압 보호를 위해 가드링
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낮은 순방향 전압 강하
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유니크 사이트와 제어 변환 요구를 요구하는 자동차와 다른 애플리케이션을 위한 NRVB 접두사 ; 자격 있는 AEC-Q101과 PPAP Capable*
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Pb-프리 패키지는 이용 가능합니다
기계적 특성 :
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경우 : 주형을 떠서 만드는 에폭시
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에폭시는 안에 UL 94, V-O를 0.125에서 만납니다
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중량 : 95 마그네슘 (대략)
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음극 극성 밴드
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리드와 납땜 목적을 위한 장착 표면 온도 :
260' Ｃ 맥스. 10 초 동안
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13′′ 릴 당 12 밀리미터 테이프에 이용할 수 있, 2500 유닛이 T3 접미사를 추가합니다
수를 분할합니다
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끝나세요 : 모든 외표면 내부식과 단말기
리드는 즉시 솔더링 가능합니다
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ESD 평가 : 신체 Model = 3B
기계모델 = Ｃ
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표시하는 것 : SS26
명령 정보
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장치 |
패키지 |
Shipping† |
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SS26T3G |
SMB (Pb-프리) |
2500 / 테이프 & 릴 |
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NRVBSS26T3G* |
SMB (Pb-프리) |
2500 / 테이프 & 리 |
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