한 STP110N8F6 Mosfet 파워 트랜지스터 110, TO-220 패키지에서 스트립페트 F6 파워 모스펫
제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
Pd - 전력 소모:
200 Ｗ
최대 작업 온도:
+ 175 Ｃ
최소 동작 온도:
- 55 Ｃ
큐그 - 게이트전하:
150 nC
브그스 - 게이트-소스 전압:
10 Ｖ
브그스 번째 - 게이트 소스 임계전압:
2.5V
하이라이트:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
도입
한 STP110N8F6 Mosfet 파워 트랜지스터 110, TO-220 패키지에서 스트립페트 F6 파워 모스펫
특징
|
순서 코드 |
VDS |
최대 (의) RDS |
ID |
PTOT |
|
STP110N8F6 |
80 Ｖ |
0.0065 Ω |
110 A |
200 Ｗ |
-
매우 낮은 온 저항
-
매우 낮은 게이트전하
-
높은 쇄도 거침성
-
낮은 게이트 드라이브 전력 손실
애플리케이션
오우 교환 응용
기술
이 장치는 새로운 트렌치 게이트 구조와 스트립펫텀 F6 기술을 사용하여 개발된 엔-채널 파워 모스펫입니다. 결과로 생기는 파워 모스펫은 모든 패키지에서 (계속) 매우 낮은 RDS를 나타냅니다.
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