CSD16556Q5B Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 25V 네스페트 엔 Ch Pwr MosFET
제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
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결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
Rds에 - 드레인-소스 저항:
1.2 모엠에스
상승 시간:
34 나노 초
강하 시간:
13 나노 초
상품 종류:
MOSFET
전형적 턴 온 지연 시간:
17 나노 초
전형적 정지 지연 시간:
25 나노 초
하이라이트:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
도입
CSD16556Q5B Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 25V 네스페트 엔 Ch Pwr MosFET
1가지 특징
- 극단적으로 저저항
극히 낮은 큐그와 큐그드
저열 저항
쇄도는 평가되었습니다
납프리 단자 도금
순응한 로에스
무독성
손흥민 5 밀리미터 × 6 밀리미터 플라스틱 패키지
2 애플리케이션
네트워킹과 통신과 컴퓨팅 시스템에서 부하 동기식 벅의 시점
동시에 일어나는 FET 애플리케이션에 대해 최적화됩니다
3가지 기술
이 25 Ｖ, 0.9 mΩ, 아들 네스펫텀 파워 모스펫이 동기 정류와 다른 전력 변환 응용에서 손실을 최소화하도록 설계되는 5 × 6 밀리미터.
절대 최대 정격
TA = 25' Ｃ | 표준값 | 유닛 | ||
VDS | 드레인 대 소스 전압 | 25 | Ｖ | |
큐그 | 게이트전하 전체 (4.5 V) | 36 | nC | |
큐그드 | 게이트전하 드레인 게이트 | 12 | nC | |
RDS (계속) | 드레인-소스 온 저항 | VGS = 4.5 Ｖ | 1.2 | mΩ |
VGS =10V | 0.9 | mΩ | ||
VGS(th) | 문턱 전압 | 1.4 | Ｖ | |
장치 | 매체 | 수량 | 패키지 | 선박 |
CSD16556Q5B | 13-인치 릴 | 2500 | 손흥민 5 Ｘ 6 밀리미터 플라스틱 패키지 | 테이프와 릴 |
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