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CSD18501Q5A Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 40V 엔-채널 네스페트 파워 모스펫

제조 업체:
제조업자
기술:
엔-채널 40 V 22A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta), 150W (Tc) 표면 부착 8-vsonp (5x6)
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
패키징:
컷 테이프
높이:
1 밀리미터
트랜지스터형:
N채널 1개
폭:
4.9 밀리미터
브랜드:
텍사스 인스트루먼츠 사
앞으로 상호컨덕턴스 - 민:
118 S
하이라이트:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

도입

CSD18501Q5A Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 40V 엔-채널 네스페트 파워 모스펫

1가지 특징

  • 극저 큐그와 큐그드
  • 저열 저항

  • 쇄도는 평가되었습니다

  • 논리 레벨

  • 납프리 단자 도금

  • 순응한 로에스

  • 무독성

  • 손흥민 5 밀리미터 × 6 밀리미터 플라스틱 패키지

2 애플리케이션

  • DC-DC 변환

  • 2차 측면 동기 정류기

  • 배터리 모터 콘트롤

3가지 기술

이 40 V, 2.5 mΩ, 네스펫텀 파워 모스펫이 전력 변환 응용에서 손실을 최소화하도록 설계되었던 아들 5 × 6 밀리미터.

생산 요약법

TA = 25' C

표준값

유닛

VDS

드레인 대 소스 전압

40

큐그

게이트전하 전체 (4.5 V)

20

nC

큐그드

게이트전하 드레인 게이트

5.9

nC

RDS (계속)

드레인-소스 온 저항

VGS = 4.5 V

3.3

VGS =10V

2.5

VGS(th)

문턱 전압

1.8

정보(1)를 주문하기

장치

수량

매체

패키지

선박

CSD18501Q5A

2500

13-인치 릴

손흥민 5 밀리미터 × 6 밀리미터 플라스틱 패키지

테이프와 릴

CSD18501Q5AT

250

7-인치 릴

절대 최대 정격

TA = 25' C

가치

유닛

VDS

드레인 대 소스 전압

40

VGS

게이트-소오스 전압

±20

ID

연속배수 경향 (제한된 패키지)

100

A

연속배수 경향 (제한된 실리콘), TC = 25' C

161

연속배수 경향 (1)

22

A

IDM

펄스용 드레인전류 (2)

400

A

PD

전원 산재(1)

3.1

전력 소모, TC = 25' C

150

TJ, 트스트그

결합과 보존온도범위를 운영하기

-55 내지 150

'C

EAS

에벌런치 에너지, 단일 펄스 ID =68A,L=0.1mH, RG =25Ω

231

마제이

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