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CSD18533Q5A Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 60V 엔 -치킨들 네스페트 Pwr MSFT, CSD18533Q5

제조 업체:
제조업자
기술:
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
패키지 / 건:
VSONP-8
채널 수:
1개 채널
트랜지스터 극성:
엔-채널
Vds - 드레인-소스 항복 전압:
60 V
Id - 연속배수 경향:
100 A
Rds에 - 드레인-소스 저항:
6.5 모엠에스
하이라이트:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

도입

CSD18533Q5A Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET 60V 엔 -치킨들 네스페트 Pwr MSFT, CSD18533Q5

1가지 특징

  • 극저 큐그와 큐그드
  • 저열 저항

  • 쇄도는 평가되었습니다

  • 논리 레벨

  • 납프리 단자 도금

  • 순응한 로에스

  • 무독성

  • 손흥민 5 밀리미터 × 6 밀리미터 플라스틱 패키지

2 애플리케이션

  • DC-DC 변환

  • 2차 측면 동기 정류기

  • 모터 콘트롤

3가지 기술

이 4.7 mΩ, 60 V, 아들 5 × 6 밀리미터 네스펫텀 파워 모스펫은 전력 변환 응용에서 손실을 최소화하도록 설계됩니다.

생산 요약법

TA = 25' C

표준값

유닛

VDS

드레인 대 소스 전압

60

큐그

게이트전하 전체 (10 V)

29

nC

큐그드

게이트전하 드레인 게이트

5.4

nC

RDS (계속)

드레인-소스 온 저항

VGS = 4.5 V

6.5

VGS =10V

4.7

VGS(th)

문턱 전압

1.9

명령 정보

장치

수량

매체

패키지

선박

CSD18533Q5A

2500

13-인치 릴

손흥민 5 밀리미터 × 6 밀리미터 플라스틱 패키지

테이프와 릴

CSD18533Q5AT

250

7-인치 릴

절대 최대 정격

TA = 25' C

가치

유닛

VDS

드레인 대 소스 전압

60

VGS

게이트-소오스 전압

±20

ID

연속배수 경향은 (제한된), TC = 25' C를 패키징합니다

100

A

연속배수 경향 (제한된 실리콘), TC = 25' C

103

연속배수 경향, TA = 25' C(1)

17

IDM

펄스용 드레인전류, TA = 25' C(2)

267

A

PD

전원 산재(1)

3.2

전력 소모, TC = 25' C

116

TJ, 트스트그

결합과 보존온도범위를 운영하기

-55 내지 150

'C

EAS

에벌런치 에너지, 단일 펄스 ID =53A,L=0.1mH, RG =25Ω

140

마제이

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