5.5V 맥스 인프트 VTG와 LMZ10500SILR Mosfet 파워 트랜지스터 비고립형 DC / dc 컨버터 650mA 나노 Mod
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
5.5V 맥스 인프트 VTG와 LMZ10500SILR Mosfet 파워 트랜지스터 비고립형 DC / dc 컨버터 650mA 나노 Mod
1가지 특징
- 650 마에 달하는 출력 전류
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입력 전압은 5.5 Ｖ에 2.7 Ｖ를 정렬시킵니다
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출력 전압은 3.6 Ｖ에 0.6 Ｖ를 정렬시킵니다
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효율 최고 95%
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집적 인덕터
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8-핀 마이크로시프 발자국
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125' Ｃ 결합 온도 범위에 대한 -40' Ｃ
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조정할 수 있는 출력 전압
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2-MHz 고정된 PWM 전환 주파수
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통합된 배상
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연시동 기능
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전류 한계 보호
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온도 셧다운 보호
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전원공급과 전원 끄기와 절전 상태를 위한 입력 전압 UVLO
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단지 5 외부 부품 - 저항 분할기와 3 세라믹 콘덴서
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작은 솔루션 크기
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낮은 출력 전압 리플
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쉬운 구성 요소 선택과 단순한 PCB 설계
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고효율은 시스템 발열을 감소시킵니다
2 애플리케이션
3.3-V와 5-V 철도로부터의 로드 변환의 오우 핵심
오우 공간 한정된 적용 오우 저출력 소음 적용
3가지 기술
LMZ10500 나노 모듈은 공간 구속형 적용에서 최고 650까지 마 로드를 운전할 수 있는 DC / DC 솔루션 아래에 있는 사용하기 쉬운 단계입니다. 오직 입력 커패시터, 출력 커패시터, 작은 VCON 필터 축전기와 2대 저항기만을 기본 조작에 필요합니다. 나노 모듈은 집적 인덕터와 함께 8개 핀 μSiP 발자국 패키지에 들어옵니다. 내부 전류 한계 기반을 둔 연시동 기능과 전류 과부하 보호와 온도 셧다운은 또한 제공됩니다.
장치 정보
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부품번호 |
패키지 |
신체 크기 (NOM) |
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LMZ10500 |
μSiP (8) |
3.00 밀리미터 × 2.60 밀리미터 |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
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| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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