SI4425DDY-T1-GE3 Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET -30V Vds 20V 브그스 SO-8
제조 업체:
제조업자
기술:
P-채널 30 Ｖ 19.7A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) 표면 부착 8-soic
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Contact us
결제 방법:
페이팔, 웨스턴 유니온, TT
상술
제조사:
비샤이
상품 카테고리:
MOSFET
기술:
Si
증가하는 방식:
SMD / SMT
패키지 / 건:
SO-8
채널 수:
1개 채널
하이라이트:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
도입
SI4425DDY-T1-GE3 Mosfet 파워 트랜지스터 MOSFET -30V Vds 20V 브그스 SO-8
특징
- 국제전기기술위원회 61249-2-21 정의에 대한 무할로겐 부합시키기
-
TrenchFET® 파워 모스펫
-
100 % Rg는 시험을 받았습니다
애플리케이션
오로드 스위치
- 노트북 PC
- 데스크탑 ＰＣ
|
생산 요약법 |
|||
|
VDS (V) |
(Ω) (의) RDS |
ID (A)A |
큐그 (Typ.) |
|
- 30 |
VGS = 10 Ｖ에 있는 0.0098 |
- 19.7 |
27 nC |
|
VGS = 4.5 Ｖ에 있는 0.0165 |
- 15.2 |
||
|
절대적인 최대 RATINGS TA = 25 'Ｃ, 달리 언급되지 않으면 |
||||
|
매개 변수 |
기호 |
제한 |
유닛 |
|
|
드레인-소스 전압 |
VDS |
- 30 |
Ｖ |
|
|
게이트-소스 전압 |
VGS |
± 20 |
||
|
연속적인 드레인전류 (TJ = 150 'Ｃ) |
TC =25' Ｃ |
ID |
- 19.7 |
A |
|
TC =70' Ｃ |
- 15.7 |
|||
|
TA = 25 'Ｃ |
- 13b, Ｃ |
|||
|
TA = 70 'Ｃ |
- 10.4b, Ｃ |
|||
|
펄스용 드레인전류 |
IDM |
- 50 |
||
|
연속적 소스-드레인 다이오드 전류 |
TC =25' Ｃ |
되세요 |
- 4.7 |
|
|
TA = 25 'Ｃ |
- 2.1b, Ｃ |
|||
|
최대 파워 분해 |
TC =25' Ｃ |
PD |
5.7 |
Ｗ |
|
TC =70' Ｃ |
3.6 |
|||
|
TA = 25 'Ｃ |
2.5b, Ｃ |
|||
|
TA = 70 'Ｃ |
1.6b, Ｃ |
|||
|
결합과 보존온도범위를 운영하기 |
TJ, 트스트그 |
- 55 내지 150 |
'Ｃ |
|
|
열 저항 등급 |
|||||
|
매개 변수 |
기호 |
전형적입니다 |
최대 |
유닛 |
|
|
최대 정션-투-암볜티브, Ｄ |
Ｔ ≤ 10 Ｓ |
스자 |
35 |
50 |
'C/W |
|
피트 (배수)에 대한 최대 결합 |
지속 상태 |
스주프 |
18 |
22 |
|
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