MSP430F2013IPWR MSP430F2132IRHR MSP430F2350IRHAR MSP430F413IPMR MSP430F4152IPMR 마이콤 IC
semiconductor integrated circuit
,pic microcontroller circuit
MSP430F2013IPWR MSP430F2132IRHR MSP430F2350IRHAR MSP430F413IPMR MSP430F4152IPMR 마이콤 IC
특징
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3.6 Ｖ에 대한 낮은 공급 전압 범위 1.8 Ｖ
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극히 낮은 전력 소비
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- 작동 모드 : 1 마하즈, 2.2 Ｖ에 있는 220 μA
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- 대기 모드 : 0.5 μA
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- OFF 모드 (RAM 보유) : 0.1 μA
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5 절전 모드
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1 μs 이내에 있는 대기 모드로부터의 초고속 기상
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16-비트 RISC 구조, 62.5번 나노 초 명령 수행 주기
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기초적인 클럭 모듈 구조 :
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- ±1%에 대한 네개의 눈금매겨진 주파수와 16 마하즈에 달하는 내부 주파수
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- 내부의 매우 저전력 저주파 발진기
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- 32-kHz 크리스탈
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- 외부 디지털 시계 원천
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두대 캡쳐 / 비교 등록기와 16-비트 timer_a
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아날로그 신호 비교 기능 또는 경사 자동 예금기 (MSP430F20x1)를 위한 온칩 비교기
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내부 기준과 샘풀 앤 홀드와 자동 스캔 (MSP430F20x2)와 10-비트 200 크스프스 Ａ／Ｄ 컨버터
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차별적 PGA 입력과 내부 기준 (MSP430F20x3)와 16-비트 시그마-델타 Ａ／Ｄ 컨버터
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범용 시리얼 인터페이스 (USI)가 SPI와 I2C (MSP430F20x2와 MSP430F20x3)를 지원합니다
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절전 검출기
오우 일련 탑승하는 프로그래밍, 필요한 어떤 외부 프로그래밍 전압, 안전퓨즈에 의한 프로그램가능 코드 보호
스파이-바이-위르 인터페이스와 오우 온칩 모방 논리
오우 가족들 : - MSP430F2001
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- 1KB + 256B 플래쉬 메모리
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- 128B RAM - MSP430F2011
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- 2KB + 256B 플래쉬 메모리
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- 128B RAM - MSP430F2002
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- 1KB + 256B 플래쉬 메모리
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- 128B RAM - MSP430F2012
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- 2KB + 256B 플래쉬 메모리
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- 128B RAM - MSP430F2003
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- 1KB + 256B 플래쉬 메모리
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- 128B RAM - MSP430F2013
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- 2KB + 256B 플래쉬 메모리
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- 128B RAM
14-핀 플라스틱 스몰 아웃라인 박형 패키지 (TSSOP)와 14-핀 플라스틱 DIP (PDIP)와 16-핀 QFN에 이용할 수 있는 오우
완전한 모듈 명세서를 위한 오우가 MSP430x2xx 패밀리 사용자의 가이드 (SLAU144)를 봅니다
기술
초저전력 마이크로컨트롤러의 텍사스 인스트루먼츠 사 MSP430 가족은 다양한 응용 프로그램을 목표로 한 주변 기기의 다른 종류를 특징으로 하는 여러 장치로 구성됩니다. 5 저-전력 모드와 결합된 구조는 가지고 다닐 수 있는 측정 응용에서 확장 배터리 수명을 달성하기 위해 최적화됩니다. 장치는 극대 부호 효율에 기여하는 강력한 16비트 RISC CPU와 16개의 비트 레지스터와 일정한 발생기를 특징으로 합니다. 디지털 제어 발진기 (DCO)는 저-전력 모드에서 1 μs 이내에 있는 작동 모드까지 잠을 깨워서 인정합니다.
MSP430F20xx 시리즈는 짜맞춘 16비트 타이머와의 초저전력 혼합 신호 마이크로컨트롤러고 10개의 I/O 핀입니다. 게다가 MSP430F20x1은 다재다능한 아날로그 비교기를 가지고 있습니다. MSP430F20x2와 MSP430F20x3은 동기 프로토콜 (SPI 또는 I2C)를 사용하는 내장 통신 기능과 10 비트 Ａ／Ｄ 컨버터 (MSP430F20x2) 또는 16 비트 시그마-델타 Ａ／Ｄ 컨버터 (MSP430F20x3)를 가집니다.
표 1. 이용 가능한 선택(1)
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TA |
패키지 장치(2) |
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플라스틱 14-핀 TSSOP (PW) |
플라스틱 14-핀 하락 (N) |
플라스틱 16-핀 QFN (RSA) |
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85' Ｃ에 대한 -40' Ｃ |
MSP430F2001IPW MSP430F2011IPW MSP430F2002IPW MSP430F2012IPW MSP430F2003IPW MSP430F2013IPW |
MSP430F2001IN MSP430F2011IN MSP430F2002IN MSP430F2012IN MSP430F2003IN MSP430F2013IN |
MSP430F2001IRSA MSP430F2011IRSA MSP430F2002IRSA MSP430F2012IRSA MSP430F2003IRSA MSP430F2013IRSA |
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105' Ｃ에 대한 -40' Ｃ |
MSP430F2001TPW MSP430F2011TPW MSP430F2002TPW MSP430F2012TPW MSP430F2003TPW MSP430F2013TPW |
MSP430F2001TN MSP430F2011TN MSP430F2002TN MSP430F2012TN MSP430F2003TN MSP430F2013TN |
MSP430F2001TRSA MSP430F2011TRSA MSP430F2002TRSA MSP430F2012TRSA MSP430F2003TRSA MSP430F2013TRSA |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축
새로운 IR2110PBF와 원종축
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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