메가비트 SPI 시리얼 플래시 메모리가 IC SST25VF016B를 자르는 16 탄력적이 능력을 없앱니다
제조 업체:
제조업자
기술:
플래시 메모리용 IC 16Mbit SPI 50 마하즈 8-soic
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 서쪽 Union,PayPal
상술
시리즈:
SST25VF016B
전압:
2.7-3.6V
특징:
SPI 플래쉬 메모리
기억장치 용량:
16M비트
애플리케이션:
LCD는 모니터링하고 패널 텔레비전, 프린터, GPS, MP3을 평탄화합니다
패키지:
SOIC8
클럭 주파수:
최고 50까지 마하즈
인터페이스:
SPI 일련의 플래시
하이라이트:
serial flash memory
,serial flash chip
도입
메가비트 SPI 시리얼 플래시 메모리가 IC 마이크로칩 SST25VF016B를 자르는 16 탄력적이 능력을 없앱니다
일반 설명
25 시리즈 일련의 플래시 가족은 더 적은 보드 공간을 차지하고, 궁극적으로 전체 시스템 비용을 낮추는 낮은 핀 계수 패키지를 고려하는 사선용, SPI-적합한 인터페이스를 특징으로 합니다. SST25VF016B 장치는 원래 SST25VFxxxA 장치 보다 소비를 개선된 동작 주파수와 심지어 낮은 전력으로 개선됩니다.
SST25VF016B SPI 시리얼 플래시 메모리는 독점적, 고성능 CMOS 슈퍼플래시 기술에 의해 제조됩니다. 분리 게이트 셀설계와 후폭 산화물 터널링 분사기는 다른 접근법과 비교해서 더 좋은 신뢰성과 제조가능성을 이룹니다. 소비 전력을 낮추는 동안, SST25VF016B 장치는 의미 심장하게 성능과 신뢰성을 개선합니다.
장치는 (계획을 작성하거나, SST25VF016B를 위해 2.7-3.6V의 단일 전원공급장치로 쉽게 지워집니다). 소비된 총 에너지는 애플리케이션의 인가 전압과 전류와 시간의 기능입니다. 누구에게 전압 범위를 고려해 볼 때, 슈퍼플래시 기술이 프로그래밍하기 위해 전류를 더 덜 사용하고 더 짧은 것이 시간을 없애게 한 이후, 누구 동안 소비된 총 에너지는 쉽게 지워지거나 프로그램 동작이 선택적 플래시 메모리 기술 이하입니다.
특징
오우 단일 전압 읽기와 기록 작업
- 2.7-3.6V
오우 직렬 인터페이스 구조
- 적합한 SPI : 방식 0과 모드 3
오우 고속도 클럭 주파수
- 최고 50까지 마하즈
오우 뛰어난 신뢰도
- 내구성 : (전형적인) 100,000이지 사이클
- 100년 데이터 유지보다 더 큽니다
오우 저 전력 소모 :
- 액티브 판독 경향 : (전형적인) 10 마
- 대기 전류 : (전형적인) 5 uA
탄력적인 오우는 역량을 없앱니다
- 획일적 4 키로바이트 분야
- 획일적 32 키로바이트 오버레이 블록
- 획일적 64 키로바이트 오버레이 블록
오우는 빨리 쉽게 지워집니다고 바이트 프로그램 :
- 칩 삭제 타임즈 지 : 전형적인 35 부인 ()
- Sector-/Block-Erase 타임즈 지 : 전형적인 18 부인 ()
- 바이트 프로그램 타임즈 지 : 7 우리 (전형적인)
오우 자동차 주소 증가 (AAI) 프로그래밍
- 바이트 프로그램 작동 에 감소 전체 칩 프로그래밍 시간
오우 엔드-오브-라이트 탐지
- 소프트웨어가 상태 레지스터에서 비지 비트를 득표합니다
- AAI 방식으로 SO 핀 위의 사용중 정보판독
오우 홀드 핀 (HOLD#)
- 장치를 선택해제하지 않고 메모리에 대한 직렬적순서 일시 중단
오우 기록 보호 (WP#)
- 인에이블스 /는 상태 레지스터의 감금 기능을 못하게 합니다
오우 소프트웨어 기록 보호
- 상태 레지스터에서 블록 보호 비트를 통한 기록 보호
오우 온도 범위
- 상업적입니다 : +70' Ｃ에 대한 0' Ｃ
- 산업적입니다 : +85' Ｃ에 대한 -40' Ｃ
이용 가능한 오우 패키지
- 8 리드 SOIC (200 밀리리터)
- 8 접촉 WSON (6mm Ｘ 5 밀리미터)
오우 모든 장치가 로에스 순응한
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