고속도 클럭 주파수로 일련인 극소 플래쉬 메모리 IC 칩 SST25VF080B 8 메가비트 SPI
제조 업체:
제조업자
기술:
플래시 메모리용 IC 8Mbit SPI 50 마하즈 8-soic
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 서쪽 Union,PayPal
상술
시리즈:
SST25VF080B-50-4C-S2AF
전압:
2.7-3.6V
특징:
저 전력 소모
기억장치 용량:
8M 비트
애플리케이션:
LCD는 모니터링하고 패널 텔레비전, 프린터, GPS, MP3을 평탄화합니다
패키지:
SOIC8 DIP8
클럭 주파수:
50/66 마하즈
인터페이스:
SPI 일련의 플래시
하이라이트:
serial flash memory
,serial flash chip
도입
고속도 클럭 주파수와 플래시 메모리 칩 IC 마이크로칩 SST25VF080B 8 메가비트 SPI 일련의 플래시
일반 설명
25 시리즈 일련의 플래시 가족은 더 적은 보드 공간을 차지하고, 궁극적으로 전체 시스템 비용을 낮추는 낮은 핀 계수 패키지를 고려하는 사선용, 스피컴파티블 인터페이스를 특징으로 합니다. SST25VF080B 장치는 소비를 개선된 동작 주파수와 더 낮은 전력으로 개선됩니다. SST25VF080B SPI 시리얼 플래시 메모리는 독점적, 고성능 CMOS 슈퍼플래시 기술에 의해 제조됩니다. 분리 게이트 셀설계와 후폭 산화물 터널링 분사기는 다른 접근법과 비교해서 더 좋은 신뢰성과 제조가능성을 이룹니다.
소비 전력을 낮추는 동안, SST25VF080B 장치는 의미 심장하게 성능과 신뢰성을 개선합니다. 장치는 (계획을 작성하거나, SST25VF080B를 위해 2.7-3.6V의 단일 전원공급장치로 쉽게 지워집니다). 소비된 총 에너지는 애플리케이션의 인가 전압과 전류와 시간의 기능입니다. 누구에게 전압 범위를 고려해 볼 때, 슈퍼플래시 기술이 프로그래밍하기 위해 전류를 더 덜 사용하고 더 짧은 것이 시간을 없애게 한 이후, 누구 동안 소비된 총 에너지는 쉽게 지워지거나 프로그램 동작이 선택적 플래시 메모리 기술 이하입니다.
SST25VF080B 장치는 8 리드 SOIC (200 밀리리터), 8 접촉 WSON (6mm Ｘ 5 밀리미터)로 제공되고 8가 PDIP에게 (300 밀리리터) 패키지를 보내게 합니다.
특징
오우 단일 전압 읽기와 기록 작업
- 2.7-3.6V
오우 직렬 인터페이스 구조
- 적합한 SPI : 방식 0과 모드 3
오우 고속도 클럭 주파수
- 조건적인 50/66 마하즈
오우 뛰어난 신뢰도
- 내구성 : (전형적인) 100,000이지 사이클
- 100년 데이터 유지보다 더 큽니다
오우 저 전력 소모 :
- 액티브 판독 경향 : (전형적인) 10 마
- 대기 전류 : (전형적인) 5 uA
탄력적인 오우는 역량을 없앱니다
- 획일적 4 키로바이트 분야
- 획일적 32 키로바이트 오버레이 블록
- 획일적 64 키로바이트 오버레이 블록
오우는 빨리 쉽게 지워집니다고 바이트 프로그램 :
- 칩 삭제 타임즈 지 : 전형적인 35 부인 ()
- Sector-/Block-Erase 타임즈 지 : 전형적인 18 부인 ()
- 바이트 프로그램 타임즈 지 : 7 우리 (전형적인)
오우 자동차 주소 증가 (AAI) 프로그래밍
- 바이트 프로그램 작동 에 감소 전체 칩 프로그래밍 시간
SST25VF080B 슈퍼플래시 메모리 어레이는 32개 키로바이트 오버레이 블록과 64개 키로바이트 오버레이 소거가능한 블록과 획일적 4 키로바이트 소거 가능 섹터로 조직됩니다.
CM GROUP 초과 재고 :
SST25VF080B-50-4C-S2AF
SST25VF080B-50-4C-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AF
SST25VF080B-50-4I-S2AF-T
SST25VF080B-50-4I-S2AE
SST25VF080B-50-4I-S2AE-T
SST25VF080B-50-4C-qaf
SST25VF080B-50-4C-qaf-t
SST25VF080B-50-4I-qaf
SST25VF080B-50-4I-qaf-t
SST25VF080B-50-4I-qae
SST25VF080B-50-4I-qae-t
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