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프로그램 가능한 판독 - 유일한 메모리와 저전압 플래시 메모리 칩 AT24C02D-SSHM-T

제조 업체:
제조업자
기술:
EEPROM 메모리용 IC 2Kbit I2C 1 마하즈 450 나노 초 8 SOIC
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 서쪽 Union,PayPal
상술
시리즈:
AT24C02
애플리케이션:
플래쉬 메모리
패키지:
SOP8
이름:
플래시 메모리 칩
특징:
저전압 작동
전압:
1.7V 내지 3.6V
하이라이트:

serial flash memory

,

serial flash chip

도입

아트멜 AT24C02D-SSHM-T 플래시 메모리 칩은 일반적으로 프로그램형 롬을 사용합니다

기술

Atmel® AT24C01D/02D는 각각 8비트의 128/256 말로 구성된 전기적으로 지울 수 있는 1,024/2,048 약간의 연속물과 프로그램형 롬 (EEPROM)를 제공합니다. 기기의 단계적으로 행할 수 있는 기능은 최고 8까지 기기가 공통 2대 와이어 버스를 공유할 수 있게 허락합니다. 이러한 장치는 저동력과 저전압 작동이 필수적인 많은 산업적이고 상업적 응용 분야에 사용하기 위해 최적화됩니다. 양쪽 기기는 공간 절약형 8 리드 SOIC과 8 리드 TSSOP, 8 패드 UDFN, 8 리드 PDIP(1), 5 리드 SOT23과 8개 볼 VFBGA 패키지에 이용할 수 있습니다. 패키지의 가족 전체는 1.7V에서부터 3.6V까지 작동합니다.

특징
저전압 작동
1.7V (3.6V에 대한 VCC = 1.7V)
내부로 조직화된 128 X 8 (1K) 또는 256 X 8 (2K)
I2
C-컴파티블 (2개 와이어) 직렬 인터페이스
100kHz 표준 모드, 1.7V에서 3.6V
400kHz 패스트 모드, 1.7V에서 3.6V
1MHz 패스트 모드 이상 (FM+), 2.5V에서 3.6V
슈미터 트리거, 소음 억제를 위한 필터된 입력
양방향성 데이터 전달은 초안을 작성합니다
기입은 가득 찬 배열 하드웨어 데이터 보호를 위한 핀을 보호합니다
극저 유효 전류 (1mA 최대)과 대기 전류 (0.8μA 최대)
8 바이트 페이지 라이트 모드
부분 페이지는 허락되는 것으로 씁니다
임의적이고 연속하는 읽기 모드
5 부인 맥스 이내에 자기 동기형 기입 사이클
높은 신뢰도
내구성 : 1,000,000이지 기입 사이클
데이터 유지 : 100년
녹색 패키지 옵션 (순응한 무연 / 무할로겐화물 / 로에스)
8는 SOIC, 8 리드 TSSOP, 8 패드 UDFN, 8 리드 PDIP(1), 5 리드 SOT23을 이끕니다 . 그리고
8 볼 VFBGA
다이 살레 선택 : 기판틀과 테이프와 릴

AT24C02D가 각각 8 바이트의 32 페이지로 구성되는 동안 AT24C01D는 내부로 각각 8 바이트의 16 페이지로 구성됩니다.

주식의, 정규적 항목 :

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