2SC5171 오디오 능력 증폭기 IC 트랜지스터 실리콘 NPN 에피택셜형 200 마하즈
제조 업체:
제조업자
기술:
양극성 (BJT) 트랜지스터 NPN 180 Ｖ 2 철저한 200MHz 2 Ｗ가 TO-220NIS에 구멍을 뚫습니다
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 서쪽 Union,PayPal
상술
타입:
증폭기는 IC을 자릅니다
애플리케이션:
전력 증폭기 응용
패키지:
3개 핀은 하강합니다
특징:
높은 전이 주파수
광대역폭:
200 마하즈
시리즈:
2SA1930에 보충적입니다
하이라이트:
2SC5171
,TOSHIBA original chip
,Audio Power Amplifier IC
도입
2SC5171 토시바 트랜지스터 실리콘 NPN 에피택셜형 전력 증폭기 응용
특징
오우 높은 전이 주파수 : fT = 200 마하즈 (typ.)
2SA1930에 보충적인 오우
전기 특성 (Tc = 25' Ｃ)
|
특성 |
기호 |
시험 조건 |
민 |
Typ. |
맥스 |
유닛 |
|
컬렉터 차단 전류 |
ICBO |
VCB = 180 Ｖ, IE = 0 |
― |
― |
5.0 |
μA |
|
이미터 차단 전류 |
IEBO |
VEB = 5 Ｖ, IC = 0 |
― |
― |
5.0 |
μA |
|
컬렉터-에미터 항복전압 |
Ｖ (BR) CEO |
IC = 10 마, IB = 0 |
180 |
― |
― |
Ｖ |
|
직류 전류 이득 |
하페 (1) |
IC = 0.1 A인 VCE = 5 Ｖ |
100 |
― |
320 |
|
|
하페 (2) |
IC = 1 A인 VCE = 5 Ｖ |
50 |
― |
― |
||
|
콜렉터-에미터 포화전압 |
(앉힌) VCE |
한 IC = 1, IB = 0.1 A |
― |
0.16 |
1.0 |
Ｖ |
|
베이스-에미터 전압 |
VBE |
IC = 1 A인 VCE = 5 Ｖ |
― |
0.68 |
1.5 |
Ｖ |
|
전이 주파수 |
fT |
IC = 0.3 A인 VCE = 5 Ｖ |
― |
200 |
― |
마하즈 |
|
출력된 컬렉터 전기 용량 |
Cob |
VCB = 10 Ｖ, IE = 0, f = 1 마하즈 |
― |
16 |
― |
pF |
절대 최대 정격 (Tc = 25' Ｃ)
|
특성 |
기호 |
평가 |
유닛 |
|
|
컬렉터베이스 전압 |
VCBO |
180 |
Ｖ |
|
|
컬렉터-이미터 전압 |
VCEO |
180 |
Ｖ |
|
|
이미터 베이스 전압 |
VEBO |
5 |
Ｖ |
|
|
컬렉터전류 |
IC |
2 |
A |
|
|
베이스 전류 |
IB |
1 |
A |
|
|
컬렉터 전력 손실 |
Ta = 25' Ｃ |
PC |
2.0 |
Ｗ |
|
Tc = 25' Ｃ |
20 |
|||
|
접합 온도 |
트제이 |
150 |
'Ｃ |
|
|
보존온도범위 |
트스트그 |
-55 내지 150 |
'Ｃ |
|
애플리케이션
오우 전력 증폭기 응용
오우 드라이버단 증폭기 출원
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