IR2110PBF IGBT 운전자 IC 칩 Mosfet 파워 트랜지스터 하프 브리지 게이트 드라이버 IC 14-하락
high speed mosfet transistor
,p channel mosfet transistor
IR2110PBF 파워 모스펫과 IGBT 운전자 IC 칩 하프-브리지 게이트 드라이버 IC 14 하락
기술
IR2110/IR2113은 고전압입니다, 독립적 높고 낮쪽과 고속도 파워 모스펫과 IGBT 운전자가 다중에 참조 사항을 달았습니다. 독점 HVIC과 래치 면역 CMOS 기술은 울퉁불퉁한 단위 구성을 가능하게 합니다. 논리 입력은 3.3V 논리아래로, 표준 cmos 또는 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 출력과 호환 가능합니다. 출력 드라이버는 최소 운전자들 교차 전도를 위해 설계된 펄스고전류 버퍼 스테지를 특징으로 합니다. 전달 지연은 고주파 응용 분야에서 사용을 단순화하기 위해 일치됩니다. 보동 채널은 최고 500 또는 600까지 볼트를 운영하는 높은 측면 구성도에서 엔-채널 파워 모스펫 또는 IGBT를 운전하는데 사용될 수 있습니다.
특징 :
오우 보동 채널은 면역성인 과도 전압 dV/dt를 부정하도록 관대한 +500V 또는 +600V에 완전히 사용가능한 부트 스트랩 작동의 설계를 했습니다
오우 게이트 드라이브 공급은 10에서 20V의 범위입니다
양쪽 채널을 위한 오우 하측 전압 로크 아웃
오우 3.3V 논리 적합한 분리된 논리 공급은 3.3V 에서 20V 까지의 논리와 전력 지상 ±5V 벌충을 정렬시킵니다
풀-다운과 오우 CMOS 슈미트 방아쇠식 입력
사이클 에지동작 중단 논리에 의한 오우 사이클
양쪽 채널을 위한 오우 조화된 전달 지연
입력과 동조하여 오우 출력
시리즈 항목 :
VOFFSET (IR2110) 500V 최대.
(IR2113) 600V 최대.
순서 정보
14-리드 PDIP IR2110 명령 IR2110PbF
14-리드 PDIP IR2113 명령 IR2113PbF
16-리드 SOIC IR2110S 명령 IR2110SPbF
16-리드 SOIC IR2113S 명령 IR2113SPbF
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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