200V 18A 고속도 MOSFET 트랜지스터 IRF640NPBF, 무료 n채널 MOSFET 트랜지스터를 이끕니다
제조 업체:
제조업자
기술:
홀 TO-220AB을 통한 엔-채널 200 Ｖ 18A (Tc) 150W (Tc)
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 서쪽 Union,PayPal
상술
시리즈:
트랜스 MOSFET N-CH
애플리케이션:
상업적 산업적 응용
패키지:
하락 트랜스
전압:
200V
품질:
실리콘 당 낮은 온 저항
경향:
18A
하이라이트:
n channel mosfet transisto
,high speed mosfet transistor
도입
IRF640NPBF 하락 트랜스 엔 채널 200V 18A 스위칭 MOSFET 파워 트랜지스터
기술
국제적인 정류기로부터의 5세대 HEXFET® 파워 모스펫 Ｓ는 실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 극단적으로 달성하기 위해 고도 처리 기술을 이용합니다. HEXFET 파워 모스펫이 잘 알려지는 고속 스위칭 속도와 울퉁불퉁한 기기 디자인에 결합된 이 혜택이 폭 넓게 다양한 적용에 사용하기 위해 디자이너에게 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 장치를 제공합니다.
TO-220 패키지는 대략 50 와트에 파워 손실 레벨에 모든 상업적 산업적 적용을 위해 보편적으로 발탁됩니다. TO-220의 저열 저항과 낮은 패키지 비용은 산업 전체에 걸쳐 그것의 광역 수용에 기여합니다.
D2Pak은 HEX-4까지 다이 크기를 수용할 수 있는 표면 부착 파워 패키지입니다. 그것은 어떠한 현존하는 표면 실장 패키지에서 가장 높은 파워 용량과 가장 낮은 가능한 ON 상태 저항을 제공합니다. D2Pak은 그것의 낮은 내부 접속 저항 때문에 높은 현재 애플리케이션에 적합하고, 전형적 표면 장착 적용품에서 최고 2.0W를 낭비할 수 있습니다.
통공 버전 (IRF640NL)는 낮은 프로파일 적용이 가능합니다.
특징
Ｌ 발전적인 프로세스 기술
Ｌ 동적 드프 / dt 평가
Ｌ 175' Ｃ 작동 Ｔ 엠페라처
Ｌ는 스위칭을 금식시킵니다
Ｌ는 완전히 평가되는 것으로 압도합니다
병렬의 Ｌ 용이성
Ｌ 단순한 드라이브 요구사항
Ｌ 무연
패키지
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