MT29F64G08CBABAWP :비 낸드 플래쉬 IC 메모리 칩 8GX8 플라스틱 PBF TSOP 3.3V 대용량 저장 장치
제조 업체:
마이크론
기술:
플래시 - NAND 메모리용 IC 64Gbit 평행한 48-TSOP I
범주:
플래쉬 메모리 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
기억 영역형:
비휘발성입니다
메모리 포맷:
플래시
기술:
플래시 - NAND
메모리 용량:
64Gb (8G x 8)
전압 - 공급:
2.7 Ｖ ~ 3.6 Ｖ
작동 온도:
0' Ｃ ~ 70' Ｃ (TA)
하이라이트:
serial flash chip
,circuit board chips
도입
MT29F64G08CBABAWP:B IC 메모리 칩 NAND FLASH 8GX8 PLASTIC PBF TSOP 3.3V 매스 스토리지
특징
• 오픈 NAND 플래시 인터페이스 (ONFI) 1.0 호환1
• 단일 수준 세포 (SLC) 기술
• 조직: 페이지 크기 x8: 2112 바이트 (2048 + 64 바이트) 페이지 크기 x16: 1056 단어 (1024 + 32 단어) 블록 크기: 64 페이지 (128K + 4K 바이트)2 평면 x 평면당 2048 블록: 4Gb: 4096 블록; 8Gb: 8192 블록 16Gb: 16,384 블록
• 비동기 I/O 성능 tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• 배열 성능: 25μs 읽기 페이지 3 프로그램 페이지: 200μs (TYP: 1.8V, 3.3V) 3 삭제 블록: 700μs (TYP)
• 명령 집합: ONFI NAND 플래시 프로토콜
• 고급 명령어 세트 ∙ 프로그램 페이지 캐시 모드4 ∙ 페이지 캐시 모드 4 ∙ 일회용 프로그래밍 (OTP) 모드 4 ∙ 두 플레인 명령어 4 ∙ 겹쳐진 다이 (LUN) 작업 ∙ 고유 ID를 읽는다 ∙ 블록 잠금 (1.8V만) ∙ 내부 데이터 이동
• 운영 상태 바이트는 작업 완료 상태 통과/실패 상태 기록 보호 상태를 감지하는 소프트웨어 방법을 제공합니다.
• Ready/Busy# (R/B#) 신호는 작업 완료를 감지하는 하드웨어 방법을 제공합니다.
• WP# 신호: 전체 장치를 보호
| 제품 속성 | 모든 것을 선택 |
| 카테고리 | 융합 회로 (IC) |
| 기억력 | |
| 제조업자 | 마이크론 테크놀로지 |
| 시리즈 | - |
| 부분 상태 | 액티브 |
| 메모리 타입 | 비휘발성 |
| 메모리 형식 | 플래시 |
| 기술 | 플래시 - NAND |
| 메모리 크기 | 64GB (8G x 8) |
| 주기 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 메모리 인터페이스 | 병렬 |
| 전압 - 공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TA) |
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