HGTG11N120CND NPT GBT 안티 패러렐 초고속 다이오드 43A 1200V
제조 업체:
ON Semi / 촉매 Semi
기술:
IGBT NPT 1200V 43A 298W 스루홀 TO-247-3
범주:
IGBT 전원 모듈
가격:
To be negotiated
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
PN:
HGTG11N120CND
브랜드:
FSC
유형:
NPT n채널 IGBT 비 평행 초고속 다이오드
경향:
43A
전압:
1200V
패키지:
TO-247
하이라이트:
IGBT Anti Parallel Hyperfast Diode
,NPT Anti Parallel Hyperfast Diode
,HGTG11N120CND
도입
HGTG11N120CND NPT 시리즈 N 채널 IGBT 반 병렬 초고속 다이오드 43A 1200V
설명:
HGTG11N120CND는 Non-Punch Through (NPT) IGBT 디자인이다.
이것은 MOS 게이트 된 고전압 스위치 IGBT 가족의 새로운 구성원입니다.
IGBT는 MOSFET와 양극 트랜지스터의 가장 좋은 특징을 결합합니다.
이 장치는 MOSFET의 높은 입력 임피던스와 양극 트랜지스터의 낮은 온 상태 전도 손실을 가지고 있습니다.
사용된 IGBT는 개발형 TA49291입니다.
사용된 다이오드는 개발형 TA49189입니다.
IGBT는 중간 주파수에서 작동하는 많은 고전압 스위치 응용 프로그램에 이상적입니다
낮은 전도성 손실이 필수적인 경우, 예를 들어: AC 및 DC 모터 제어 장치, 전원 공급 장치 및 전자기 장치의 드라이버
전 개발형 TA49303
특징:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
1200V 스위칭 SOA 기능
• 전형적 인 가을 시간 . . . . .340ns TJ = 150oC
• 단회로 등급
• 낮은 전도성 손실
• 열 저항 SPICE 모델
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