BFS505,115 15V RF 전력 트랜지스터, 18mA 9GHz 150mW 표면 부착 트랜지스터
제조 업체:
NXP
기술:
RF 트랜지스터 NPN 15V 18mA 9GHz 150mW 표면 실장 SC-70
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 에스크로
상술
범주:
트랜지스터 - 양극성 (BJT) - 무선주파수
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스):
15V
주파수 - 변화:
9GHz
소음 지수 (Ｆ에 있는 dB Typ):
900MHz에 있는 1.2dB ~ 2.1dB
전원 - 맥스:
150mW
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민):
5mA, 6V에 있는 60
경향 - 수집기 (Ic) (맥스):
18mA
작동 온도:
175' Ｃ (TJ)
하이라이트:
resistor equipped transistor
,silicon npn power transistors
도입
BFS505 NPN PNP 트랜지스터 RF 트랜지스터 NPN 15V 18mA 9GHz 150mW
NPN 9 GHz 광대역 트랜지스터
특징
• 낮은 전류 소비
• 높은 전력 증가
• 낮은 소음 수치
• 높은 전환 주파수
• 금 금화 는
우수한 신뢰성
• SOT323 봉투.
설명
플라스틱 SOT323에 있는 NPN 트랜지스터
봉투.
저전력 증폭기용
오시레이터 및 믹서기, 특히
휴대용 RF 통신
장비 (전화 전화, 무선 전화)
전화기, 페이저) 최대 2GHz.
| 제품 속성 | 모든 것을 선택 |
| 카테고리 | 디스크리트 반도체 제품 |
| 트랜지스터 - 양극 (BJT) - RF | |
| 제조업자 | USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 포장 | 테이프 & 롤 (TR) |
| 부분 상태 | 구식 |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압 - 컬렉터 발산기 분해 (최대) | 15V |
| 빈도 - 전환 | 9GHz |
| 소음 수치 (dB Typ @ f) | 10.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| 이득 | - |
| 전력 - 최대 | 150mW |
| DC 전류 증가 (hFE) (분) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 6V |
| 전류 - 수집기 (Ic) (최대) | 18mA |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 장착형 | 표면 마운트 |
| 패키지 / 케이스 | SC-70, SOT-323 |
| 공급자의 장치 패키지 | SOT-323-3 |
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