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SMBJ170A-E3/52 피크 펄스 전력 600W 17V 이격된 전압 비샤이

제조 업체:
비샤이
기술:
275V 클램프 2.2A Ipp TVs 다이오드 표면 실장 DO-214AA(SMBJ)
범주:
전자적 IC 칩
가격:
To be negotiated
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
PN:
SMBJ170A-E3/52
브랜드:
비샤이
원형:
미국
피크 펄스 전력 :
600W
이격된 전압:
17V
패키지:
SMBJ170A-E3/52 DO-214AA/SMB
하이라이트:

600W Peak Pulse Power Transistors

,

17V Peak Pulse Power Transistors

,

SMBJ170A-E3/52 NPN Transistors

도입
SMBJ170A-E3/52 최고 펄스 전력 600W정지 전압 17V VISHAY
특징
사건: DO-214AA/SMB
표면에 장착된 애플리케이션을 위해 보드 공간을 최적화합니다.
극성: 양방향을 제외한 색상 밴드 긍정적 끝 (카토드) 을 나타냅니다.
- 전형적인 장애 모드는 과다 정해진 전압이나 전류에서 짧습니다.
고온 용접:260°C/10초 단말.
터미널: 밀-STD-750,방법 2026에 따라 용접, 용접 가능
일반 정보
SMB-H 시리즈는 전압에 민감한 부품들을
높은 전압, 높은 에너지 트랜지이언트. 그들은 우수한 클램핑 능력, 높은
초파수 능력, 낮은 제너 임피던스 및 빠른 응답 시간. SMB-H 시리즈는
YINT Semiconductor의 독점적, 비용 효율적, 매우 신뢰할 수 있으며
통신 시스템, 자동차, 수치 제어 장치에 사용하기에 이상적입니다.
프로세스 컨트롤, 의료 장비, 비즈니스 기계, 전원 공급 장치 및 많은
다른 산업용/소비용용용
신청서
TVS 장치는 I/O 인터페이스의 보호를 위해 이상적입니다.
VCC 버스 및 통신, 컴퓨터, 산업에 사용되는 다른 취약 회로
소비자 전자 애플리케이션.
참고:
1반복되지 않는 전류 펄스, 펄스 웨이브폼 그래프에 따라, 펄스 데레이팅 곡선에 따라 TA = 25 °C 이상으로 감소합니다.
2- 열 저항 연결
3. 8.3 ms 단일 반 시노 파동 작업 사이클 = 1분당 최대 4개의 펄스 (일방향 단위만)
4단일 단계, 반파, 60 Hz, 저항 또는 인덕티브 부하 용량 부하에 대해 20%의 전류를 감소시킵니다.
5VBR < 200V의 VF < 3.5V 및 VBR> 201V의 VF < 5.0V
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