고출력 드라이브 단일 공급 연산 증폭기 Tl7757cdr의 넓은 대역폭 제품군
electronics ic chip
,integrated circuit ic
넓은 대역폭의 고출력 드라이브 단일 공급 연산 증폭기 제품군
*광대역폭 ...10MHz
*고출력 드라이브
- 나오...V에서 57mADD- 1.5V연산 증폭기
- 나OL...0.5V에서 55mA
*높은 슬루율
− SR+ ...16V/µs
- SR- ...19V/µs
* 넓은 공급 범위 ...4.5V ~ 16V
* 공급 전류 ...1.9mA/채널
*초저전력 차단 모드
나DD...125µA/채널
*낮은 입력 잡음 전압...8.5nV√Hz
* 입력 오프셋 전압 ...60µV
*초소형 패키지
− 8핀 또는 10핀 MSOP(TLC080/1/2/3)
설명
TI의 새로운 BiMOS 범용 연산 증폭기 제품군의 첫 번째 제품은 TLC08x입니다.BiMOS 제품군 개념은 간단합니다. 이중 전원 시스템에서 단일 전원 시스템으로 전환하고 더 높은 AC 및 DC 성능을 요구하는 BiFET 사용자를 위한 업그레이드 경로를 제공합니다.상용(0°C ~ 70°C) 및 확장된 산업 온도 범위(-40°C ~ 125°C)에서 정격 4.5V ~ 16V의 성능을 갖춘 BiMOS는 광범위한 오디오, 자동차, 산업 및 계측 애플리케이션.오프셋 널링 핀과 같은 친숙한 기능 및 MSOP PowerPAD와 같은 새로운 기능TM패키지 및 셧다운 모드는 다양한 애플리케이션에서 더 높은 수준의 성능을 가능하게 합니다.
TI의 특허받은 LBC3 BiCMOS 공정으로 개발된 새로운 BiMOS 증폭기는 매우 높은 입력 임피던스, 저잡음 CMOS 프런트 엔드와 하이드라이브 바이폴라 출력단을 결합하여 두 가지 모두에 최적의 성능을 제공합니다.TL08x BiFET 이전 제품에 비해 향상된 AC 성능에는 10MHz 대역폭(300% 증가)과 8.5nV/√Hz(60% 향상)의 전압 잡음이 포함됩니다.DC 개선에는 보장된 V가 포함됩니다.ICR여기에는 접지, 표준 등급에서 1.5mV(최대)까지 입력 오프셋 전압의 4배 감소, 40dB에서 130dB까지의 전원 공급 거부 개선이 포함됩니다.이 인상적인 기능 목록에 추가된 기능은 TLC08x를 이상적인 고성능 범용 연산 증폭기 제품군으로 포지셔닝하는 초소형 풋프린트 MSOP PowerPAD 패키지에서 ±50mA 부하를 편안하게 구동하는 기능입니다.
작동 자유 대기 온도 범위에 대한 절대 최대 정격(달리 명시되지 않는 한)†
공급 전압, VDD(참고 1 참조) ..................................................17V
차동 입력 전압 범위, VID................................................±VDD
지속적인 총 전력 손실 ..............................손실 등급 표 참조
작동 자유 대기 온도 범위, Tㅏ: C 접미사 ................................0°C ~ 70°C
나는 접미사 .............................-40°C ~ 125°C
최대 접합 온도, T제이................................................150 °C
보관 온도 범위, Tstg ..........................................-65°C ~ 150°C
케이스에서 리드 온도 1.6mm(1/16인치)에서 10초 동안 .........................260℃
† "절대 최대 정격"에 나열된 것 이상의 스트레스는 장치에 영구적인 손상을 줄 수 있습니다.이는 스트레스 등급일 뿐이며 이러한 조건 또는 "권장 작동 조건"에 표시된 조건을 초과하는 다른 조건에서 장치의 기능적 작동은 암시되지 않습니다.장시간 절대 최대 정격 조건에 노출되면 장치 신뢰성에 영향을 미칠 수 있습니다.
참고 1: 차동 전압을 제외한 모든 전압 값은 GND를 기준으로 합니다.
방열 등급표
패키지 θJC(°C/W) θ자(°C/W) Tㅏ≤ 25°C 전력 등급 |
D(8) 38.3 176 710mW |
D(14) 26.9 122.3 1022mW |
D(16) 25.7 114.7 1090mW |
DGN (8) 4.7 52.7 2.37 W |
DGQ (10) 4.7 52.3 2.39 W |
N(14, 16) 32 78 1600mW |
P(8) 41 104 1200mW |
PWP(20) 1.40 26.1 4.79W |
권장 작동 조건
최소 최대 | 단위 | ||
공급 전압, VDD | 단일 공급 | 4.5 16 | V |
분할 공급 | ±2.25 ±8 | ||
공통 모드 입력 전압, VICR | 접지 VDD-2 | V | |
셧다운 온/오프 전압 레벨‡ | VIH | 2 | V |
V일리노이 | 0.8 | ||
작동 대기 온도, Tㅏ | C 접미사 | 0 70 | °C |
I 접미사 | -40125 |
‡ 장치의 GND 단자 전압에 비례합니다.
신청 정보

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