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HEF4027BP,652 원래 집적 회로는 삼성전자 집적 회로 칩 듀얼 JK 플립플롭을 추렴합니다

제조 업체:
NXP
기술:
플립 플롭 2 소자 JK 유형 1 비트 포지티브 에지 16-DIP(0.300", 7.62mm)
범주:
집적 회로 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
공급 전압:
+18 V에 대한 -0.5
입력 클램핑 경향:
±10 마
입력 전압:
VDD + 0.5 V에 대한 -0.5
출력 클램핑 경향:
±10 마
공급전류:
50 마
저장 온도:
+150 'C에 대한 -65
하이라이트:

electronics ic chip

,

integrated circuit ic

도입


HEF4027B
듀얼 JK 플립플롭

일반 설명
HEF4027B는 독립적인 세트 직접적 (SD), 파란불 직접적 (CD)를 특징으로 하는 에지동작 듀얼 JK 플립플롭이고 (CP) 입력과 출력 (Q, Q)를 시간을 잽니다. 자료는 CP가 최저치일 때 받아들여지고 시계의 플러스 진행 에지 위의 출력으로 옮겨집니다. 정논리 비동기 클리어 직접적 (CD)와 지정된 직접적 (SD) 입력은 독립적이고, J와 K와 CP 입력을 기각합니다. 출력은 최고 시스템 성능을 위해 버퍼링됩니다. 슈미터 트리거 조치는 클락 입력을 더 느린 상승과 하강 시간에 대단히 관대하게 합니다.
그것은 3 V에서 15 V의 추천된 Vdd 전원공급장치 범위 위에서 VSS (보통 지상에) 대한 언급을 운영합니다. 사용하지 않은 입력은 VDD 또는 VSS 또는 또 다른 입력에 연결되어야 합니다. 그것은 가득 찬 인더스트리얼 (-40 +85 'C에 대한 'C) 온도 범위 위에서 또한 사용에 적합합니다.

특징
■ 완전히 정적 작동
■ 5 V와 10 V와 15가지 V 매개변수에 관한 평가
■ 표준화된 대칭적 출력 특성
■는 +85 'C에 가득 찬 산업용 온드범위 -40 'C에서 일합니다
■는 제덱 스탠다드 JESD 13-B에 따릅니다
■ ESD 보호 :
◆ HBM JESD22-A114E는 2000 V를 초과합니다
◆ MM JESD22-A115-A는 200 V를 초과합니다

애플리케이션
■ 등록
■ 반대
■ 제어 회로

제한치
절대적인 최대 등급제 (IEC 60134)에 따라.

기호매개 변수상태맥스유닛
VDD공급 전압 -0.5+18
IIK입력 클램핑 경향VI < 0="">I > VDD + 0.5 V-±10
VI입력 전압 -0.5VDD + 0.5
IOK출력 클램핑 경향보< 0=""> O > VDD + 0.5 V-±10
II/O입출력 경향 -±10
국제 다이얼공급전류 -50
트스트그저장 온도 -65+150'C
대기온도대기 온도자유 대기에서-40+80'C
피티오트전력 총손실+125 'C에 대한 대기온도 -40 'C
DIP16은 패키징하 [1]-750mW
SO16은 패키징하 [2] -500mW
전력 소모출력마다-100mW

[1] DIP16을 위해 패키징하세요 : 피티오트는 70 'C 위에 12 mW/K로 선형으로 낮춥니다.
[2] SO16을 위해 패키징하세요 : 피티오트는 70 'C 위에 8 mW/K로 선형으로 낮춥니다.

기능도
한 플립-플롭의 논리도
핀 형상


주식 호가 (뜨거운 매도)

부품 번호.Q'ty제조D/C패키지
LP5951MGX-2.53632NSC15+SC70-5
LP38692MP-3.33632NSC15+SOT-223
LNK305PN363215+DOP-7
LM7915CT3632NSC15+TO-220
LM6152ACM3632NSC14+SOP-8
AD620ARZ3632AD15+SOP-8
PIC12F675 I / SN3630마이크로칩14+SOP
PIC10F200-I/P3630마이크로칩15+하락
MAX745EAP+3629격언15+SSOP
ADM1184ARMZ3628AD15+MSOP10
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