FOD814ASD 집적 회로 칩 IC 전자 중국 황금 IC 공급 업체
electronics ic chip
,integrated circuit ic
FOD814 시리즈, FOD617 시리즈, FOD817 시리즈 4핀 고온 작동 포토트랜지스터 옵토커플러
특징
■ AC 입력 응답(FOD814만 해당)
■ Pb-free IR 리플로 솔더링 적용 가능
■ 컴팩트한 4핀 패키지
■ 선택된 그룹의 현재 전송 비율:
FOD617A: 40~80% FOD817: 50~600% FOD617B: 63~125%
FOD817A:80~160% FOD617C:100~200% FOD817B: 130~260%
FOD617D:160~320% FOD817C:200~400% FOD814: 20~300%
FOD817D:300~600% FOD814A: 50~150%
■ C-UL, UL 및 VDE 승인
■ 5000Vrms의 높은 입출력 절연 전압
■ 최소 BVCEO 70V 보장
■ 더 높은 작동 온도(H11AXXX에 비해)
애플리케이션
FOD814 시리즈
■ AC 라인 모니터 ■ 알 수 없는 극성 DC 센서 ■ 전화선 인터페이스
FOD617 및 FOD817 시리즈
■ 전원 공급 장치 조정기 ■ 디지털 논리 입력 ■ 마이크로프로세서 입력
설명
FOD814는 역병렬로 연결된 2개의 갈륨 비소 적외선 방출 다이오드로 구성되어 4핀 듀얼 인라인 패키지에서 실리콘 광트랜지스터 출력을 구동합니다.FOD617/817 시리즈는 4핀 듀얼 인라인 패키지에서 실리콘 포토트랜지스터를 구동하는 갈륨 비소 적외선 방출 다이오드로 구성됩니다.
재고 목록의 일부
CI LTC3406ES5-1.8TRPBF | 선의 | LTC4 | SOT23-5 |
모자 1210 10UF 25V X5R 10% 12103D106KAT2A | AVX | 1622년 | SMD1210 |
모자 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE | 삼성 | AC7HSK3 | SMD0805 |
캡 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A | 삼성 | 1633년 | SMD0805 |
CI SP3203ECY-L/TR | 사이펙스 | 0740L | TSSOP-20 |
DIODO SS14-E3/61T | 비쉐이 | 1533/S4 | SMA |
커넥터 S10B-PH-SM4-TB(LF)(SN) | JST | 16세 이상 | 커넥트콘 |
디오도 1N4148 | STM | SL0B1P0314S257G/045G/057G/SL0B1P0706S033G | DO-35 |
RES 0603 2K 1% RC0603FR-072KL | 야게오 | 1619년 | SMD0603 |
RES 0R 5% 0805 RC0805JR-070RL | 야게오 | 1624년 | SMD0805 |
RES 270R 5% RC0805JR-07270RL |
야게오 | 1623년 | SMD0805 |
RES 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
야게오 | 1618년 | SMD0805 |
RES 0805 1K 1% RC0805FR-071KL |
야게오 | 1603년 | SMD0805 |
RES 10K 1% RC0805FR-0710KL |
야게오 | 1603년 | SMD0805 |
RES 0805 4K99 1% RC0805FR-074K99L | 야게오 | 1603년 | SMD0805 |
디오도 1N4007 | 마이크 | 20160807 | DO-41 |
CI SSD1961G40 | 솔로몬 | LU045AF | BGA40 |
24AA1025-I/SM | 마이크로칩 | 160835R | SOP-8 |
MAX1674EUA | 격언 | 1142 | MSOP-8 |
STM32F030C8T6 | 성 | 1634년 | LQFP-48 |
CAT811STBI-GT3 | 에 | ET23 | SOT-143 |
BD9876EFJ-E2 | 로옴 | 3472 | HTSOP-8 |
LD1086V33 | 성 | 817 | TO-220 |
74LVC14AD | 1611년 | SOP-14 | |
74LVC07AD | 1607년 | SOP-14 | |
BD6221F-E2 | 로옴 | 3211 | SOP-8 |
디오도 S3A-13-F | 다이오드 | 1316년 | 에스엠씨 |
디오도 RB056L-40TE25 | 로옴 | 53,03 | SMA |
LM317AMDT | NSC | JN45RN | TO-252 |
디오도 B280-13-F | 다이오드 | 128 | 중소기업 |
LM2592HVS-ADJ | NSC | JM42RCE3 | TO-263 |
TL431A | WS | 633SD | TO-92 |
디오도 1N5817 | 마이크 | 16세 이상 | DO-41 |
디오도 GL41D-E3/97 | 비쉐이 | 1629년 | DO-213AB |
디오도 BZV55-C4V3 | 16세 이상 | SOD-80C | |
커넥터 JK0-0044NL | 맥박 | 16세 이상 | RJ45 |
CI TL431ACZ | STM | 408 | TO-92 |
CI L7808CV | 성 | 520 | TO-220 |
CI ULN2004AN | TI | 65CPVOK | 딥-16 |
디오도 B340LA-13-F | 다이오드 | 501 | SMA |

MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 제너 전압 조절기

SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb 과도 전압 억제 소자들

BZX84C12LT1G 제너 전압 조절기 다이오드 225mW SOT-23 표면 부착

MUR1620CTG 전환 상태 16A 급속한 순변환 장치 100-600V

NJW0281G 50W 양극성 NPN PNP 트랜지스터 TO-3P

MOCD213M 2500Vrms SOIC8 듀얼 채널 포토트랜지스터

MJE340G 중간 파워 0.5A 300V 20W NPN형 실리콘 트랜지스터

MURS260T3G 전원관리 IC 표면 부착 급속한 순변환 장치

지상 편향 제거를 위한 HCPL0600R2 10bps 컴퓨터 IC 칩 논리 게이트 옵토커플러

200mW 18V SOD-323 제너 전압 조절기 다이오드 MM3Z18VT1G
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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MMSZ5245BT1G 500mW SOD123 제너 전압 조절기 |
Zener Diode 15 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
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![]() |
SMBJ18A DO-214AA SMBJ Transzorb 과도 전압 억제 소자들 |
Clamp Ipp Tvs Diode
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BZX84C12LT1G 제너 전압 조절기 다이오드 225mW SOT-23 표면 부착 |
Zener Diode 12 V 250 mW ±5% Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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MUR1620CTG 전환 상태 16A 급속한 순변환 장치 100-600V |
Diode Array 1 Pair Common Cathode 200 V 8A Through Hole TO-220-3
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NJW0281G 50W 양극성 NPN PNP 트랜지스터 TO-3P |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
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MOCD213M 2500Vrms SOIC8 듀얼 채널 포토트랜지스터 |
Optoisolator Transistor Output 2500Vrms 2 Channel 8-SOIC
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MJE340G 중간 파워 0.5A 300V 20W NPN형 실리콘 트랜지스터 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
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MURS260T3G 전원관리 IC 표면 부착 급속한 순변환 장치 |
Diode 600 V 2A Surface Mount SMB
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지상 편향 제거를 위한 HCPL0600R2 10bps 컴퓨터 IC 칩 논리 게이트 옵토커플러 |
Logic Output Optoisolator 10Mbps Open Collector 3750Vrms 1 Channel 5kV/µs CMTI 8-SOIC
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200mW 18V SOD-323 제너 전압 조절기 다이오드 MM3Z18VT1G |
Zener Diode 18 V 300 mW ±6% Surface Mount SOD-323
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