MT46V8M16TG-6T IT:D TR 본래 집적 회로 직접 회로 칩 두 배 자료율 DDR SDRAM
integrated circuit ic
,integrated circuit components
이중 데이터 속도(DDR) SDRAM
특징
• 167MHz 클록, 333Mb/s/p 데이터 속도
• VDD = +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V
• 데이터와 함께 전송/수신되는 양방향 데이터 스트로브(DQS), 즉 소스 동기 데이터 캡처(x16은 바이트당 2개 - 1개)
• 내부의 파이프라인 DDR(double-data-rate) 아키텍처;클록 주기당 2개의 데이터 액세스
• 차동 클록 입력(CK 및 CK#)
• 각 포지티브 CK 에지에 입력된 명령
• READ용 데이터와 에지 정렬된 DQS;WRITE용 데이터와 중앙 정렬
• DQ 및 DQS 전환을 CK와 정렬하기 위한 DLL
• 동시 작동을 위한 4개의 내부 뱅크
• 쓰기 데이터를 마스킹하기 위한 데이터 마스크(DM)(x16은 바이트당 2개 - 1개)
• 프로그래밍 가능한 버스트 길이: 2, 4 또는 8
• 동시 자동 선충전 옵션 지원
• 자동 새로 고침 및 자체 새로 고침 모드
• FBGA 패키지 사용 가능
• 2.5VI/O(SSTL_2 호환)
• t RAS 잠금(t RAP = t RCD)
• DDR200 및 DDR266과 하위 호환 가능
옵션 부품 번호
• 구성
32Meg x 4(8Meg x 4 x 4뱅크) 32M4
16Meg x 8(4Meg x 8 x 4뱅크) 16M8
8Meg x 16(2Meg x 16 x 4뱅크) 8M16
• 플라스틱 패키지
66핀 TSOP(OCPL) TG
60볼 FBGA(16x9mm) FJ
• 타이밍 - 주기 시간
6ns @ CL = 2.5(DDR333B–FBGA)1-6
6ns @ CL = 2.5(DDR333B–TSOP)1-6T
7.5ns @ CL = 2(DDR266A)2-75Z
• 자가 새로고침
표준 없음
참고: 1. 2.5-3-3 타이밍으로 PC2700 모듈 지원
2. 2-3-3 타이밍으로 PC2100 모듈 지원
DDR333 호환성
DDR333은 모든 DDR266 타이밍 요구 사항을 충족하거나 능가하므로 현재 DDR 설계와의 완전한 하위 호환성을 보장합니다.또한 이러한 장치는 타이밍 성능 향상을 위해 동시 자동 사전 충전 및 t RAS 잠금을 지원합니다.128Mb, DDR333 장치는 15.6µs의 (t REFI) 평균 주기적 새로 고침 간격을 지원합니다.
표준 66핀 TSOP 패키지는 FBGA 패키지가 멀티 드롭 시스템용인 점대점 애플리케이션용으로 제공됩니다.
Micron 128Mb 데이터 시트는 여기에서 지정하지 않는 한 전체 사양과 기능을 제공합니다.
FBGA 60볼 패키지 치수
FBGA 패키지 마킹
FBGA 패키지의 물리적 크기로 인해 전체 주문 부품 번호는 패키지에 인쇄되어 있지 않습니다.대신 다음 패키지 코드가 사용됩니다.
상단 표시에는 5개의 필드가 포함되어 있습니다. 12345
• 필드 1(제품군)
D램 D
DRAM - ES Z
• 필드 2(제품 유형)
2.5볼트, DDR SDRAM, 60볼 L
• 필드 3(너비)
x4 장치 B
x8 장치 C
x16 장치 D
• 필드 4(밀도/크기)
128MbF
• 출원 5(속도 등급)
-6J
-75Z 피
-75F
-8C
66핀 TSOP 패키지 치수 66핀 TSOP 패키지 핀 할당
MT48LC4M16A2TG-75 그것 :Ｇ TR 동기식 디램 IC 마이크론 TSOP4 멕 Ｘ 4 Ｘ 4 은행
M45PE10-VMN6P 플래시 메모리 IC 새롭고 원본 재고
MT25QL512ABB1EW9-0SIT 플래시 메모리 IC 새롭고 원본 재고
N25Q128A13EF740F 새롭고 원래의 재고
PF48F3000P0ZTQEA 새롭고 원래의 재고
N25Q128A13ESF40F TR 새고 원본 재고
N25Q064A13ESE40F TR 새고 원본 재고
N25Q128A11EF840F TR 새고 원본 재고
N25Q128A13BSF40F TR 새고 원본 재고
MX30LF2G18AC-TI 새고 원본 주식
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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MT48LC4M16A2TG-75 그것 :Ｇ TR 동기식 디램 IC 마이크론 TSOP4 멕 Ｘ 4 Ｘ 4 은행 |
SDRAM Memory IC 64Mbit Parallel 133 MHz 5.4 ns 54-TSOP II
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M45PE10-VMN6P 플래시 메모리 IC 새롭고 원본 재고 |
FLASH - NOR Memory IC 1Mbit SPI 75 MHz 8-SO
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MT25QL512ABB1EW9-0SIT 플래시 메모리 IC 새롭고 원본 재고 |
FLASH - NOR Memory IC 512Mbit SPI 133 MHz 8-WPDFN (8x6) (MLP8)
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N25Q128A13EF740F 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (6x5) (MLP8)
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PF48F3000P0ZTQEA 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit Parallel 52 MHz 65 ns 88-SCSP (8x10)
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N25Q128A13ESF40F TR 새고 원본 재고 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SO
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N25Q064A13ESE40F TR 새고 원본 재고 |
FLASH - NOR Memory IC 64Mbit SPI 108 MHz 8-SO W
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N25Q128A11EF840F TR 새고 원본 재고 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 8-VDFPN (MLP8) (8x6)
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N25Q128A13BSF40F TR 새고 원본 재고 |
FLASH - NOR Memory IC 128Mbit SPI 108 MHz 16-SOP2
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MX30LF2G18AC-TI 새고 원본 주식 |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 20 ns 48-TSOP
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