H2017NL 집적 회로 칩, 프로그래밍 ic 칩 이더네트 자기학에 힘
상술
전압:
1.2V
입출력:
3.3V 또는 2.5V
송수신기:
3.3V
온도 (TJ):
-50' C -- 150' C
지불조건:
전신환, 페이팔, 웨스턴 유니온
패키지:
SMD
하이라이트:
electronics ic chip
,integrated circuit ic
도입
이더네트 (PoE) 자기학에 H2017NL 집적 회로 칩 힘
RoHS 피크 리플로 온도 등급 245C IEEE 802.3af/ANSI X3.263 준수 성능 IP 전화 또는 스위치 애플리케이션용으로 설계
재고 목록
CI SN74LS244N | TI | 64AH70K/5ACCLLK | 딥-20 |
CI 74HC238D | 1640년 | SOP-16 | |
CI P8255A5(L8320146 아님) | 인텔 | L5171029 | 딥-40 |
CI HEF4051BT | 1622+ | SOP-16 | |
CI 일련번호 아이버튼 DS1990A-F5+ |
달라스 | 1631년 | 단추 |
CI M27C2001-10F1 | 성 | 1211K | CDIP 32 |
트랜스 IRF540NPBF | IR | P632D | TO-220 |
트라이액 BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
CI MC908MR16CFUE | 프리스케일 | 1341 | LQFP-64 |
CI 74HC245DB,118 | 1619년 | SSOP-20 | |
CI MCP130T-315I/TT | 마이크로칩 | PLEP | SOT23-3 |
DIODO RGF1M-E3/67A | 비쉐이 | RM/50억 | SMA |
CI 74HC244DB,118 | 1418년 | SSOP-20 | |
CI 74LVC139D | 1213년 | SOP-16 | |
CI LD1086V33 | 성 | 829/833 | TO-220 |
디오도 TPD4E001DBVR | TI | NFY5 | SOT23-6 |
트라이액 BT151-500R | PJA603 | TO-220 | |
S5M-E3/57T | 비쉐이 | 1632/5M | 에스엠씨 |
다이오드 LED VSLB3940 | 비쉐이 | 10+ | 딥-2 |
MMBT3906LT1G | 에 | 1642/2A | SOT-23 |
디오도 BAS16LT1G | 온세미 | 1640/A6 | SOT-23 |
MBR3045CTP | 다이오드 | 1024 | TO-220 |
GBU6M | 비쉐이 | 1510L | 딥-4 |
GBU608 | 9월 | 16세 이상 | 딥-4 |
센서 KTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
CI AD590KH | 기원 후 | 1406년 | CAN3 |
CI ICL7660CBAZ | 인터실 | V1608BA | SOP-8 |
CI PC817C | 날카로운 | H41 | 딥-4 |
트랜스 TIP127(ROHS) | 성 | 608 | TO-220 |
옵토 4N25M | FSC | 645Q |
딥-6 |
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