SN74HC20DR 집적 회로 칩, 이중 4 입력 NAND 게이트 IC 전자 부품
제조 업체:
텍사스 인스트루먼트
기술:
NAND 게이트 IC 2 채널 14-soic
범주:
집적 회로 칩
가격:
Negotiate
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
증식은 nA, nB, nC, nY에 대한 nD를 연기합니다:
8 나노 초
입력 커패시턴스:
3.5 pF
패키지 당 전력 소모 전기 용량:
22 pF
출력용량:
표준
하이라이트:
electronics ic chip
,integrated circuit ic
도입
74HC20D 직접 회로 칩, 이중 4 입력 NAND 게이트 IC 전자 부품
듀얼 4입력 NAND 게이트 74HC/HCT20
특징
• 출력 기능: 표준
• 나CC범주: SSI
일반적인 설명
74HC/HCT20은 고속 Si-gate CMOS 장치이며 저전력 Schottky TTL(LSTTL)과 핀 호환됩니다.그들은 JEDEC 표준 번호에 따라 지정됩니다.7A.74HC/HCT20은 4입력 NAND 기능을 제공합니다.
빠른 참조 데이터
GND = 0V;티앰버= 25℃;티아르 자형= 티에프= 6ns
| 상징 | 매개변수 | 정황 | 전형적인 | 단위 | |
| HC | HCT | ||||
| 티PHL/tPLH | 전파 지연 nA, nB, nC, nD ~ nY | 씨엘= 15pF;VCC= 5V | 8 | 13 | NS |
| 씨나 | 입력 커패시턴스 | 3.5 | 3.5 | PF | |
| 씨피디 | 패키지당 전력 손실 커패시턴스 | 참고 1 및 2 | 22 | 17 | PF |
노트
1. 씨피디동적 전력 손실을 결정하는 데 사용됩니다(P디μW 단위):
피디= 씨피디× VCC2× 에프나+ ∑ (씨엘× VCC2× 에프영형) 어디:
에프나= 입력 주파수(MHz)
에프영형= 출력 주파수(MHz)
씨엘= 출력 부하 커패시턴스(pF)
VCC= 공급 전압(V)
∑ (C엘× VCC2× 에프영형) = 출력 합계
2. HC의 경우 조건은 V입니다.나= GND에서 V로CC
HCT의 경우 조건은 V입니다.나= GND에서 V로CC- 1.5V
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