SPC6332S36RGB 전자 IC 칩 통합 회로 IC 부품
electronics ic chip
,integrated circuit components
SPC6332S36RGB 전자 IC 칩 통합 회로 IC 부품
설명
SPC6332는 N- 및 P-채널 강화 모드 전력장 효과 트랜지스터로 고 세포 밀도, DMOS 트렌치 기술을 사용하여 생산됩니다.이 고밀도 프로세스는 특히 온 상태 저항을 최소화하고 우수한 스위칭 성능을 제공하기 위해 제작되었습니다.
이 장치들은 특히 노트북 컴퓨터 전력 관리 및 다른 배터리 전력 회로와 같은 저전압 애플리케이션에 적합합니다.그리고 일시적인 저항이 필요합니다..
한 부분의재고 목록
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
디오도 BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
디오도 SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
디오도 BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
디오도 SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
RES 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
RES 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | 마이크로칩 | 16255C4 | SOP-14 |
PC817A | SHARP | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
트랜스 2SS52M | 하니웰 | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | IT | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | IT | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | 마이크로칩 | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | IT | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
CAP 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
인듀서 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
CAP ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | PAN | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | 마이크로칩 | 1636M6G | SOP-8 |
CAP ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | 니키온 | 160602/150/25V/H72 | SMD8*105 |
RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | IT | 11/A75240 | MSOP-8 |
RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
CAP CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | 타이요유덴 | 1608 | SMD0805 |
CAP CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
RES 3K3 5% CASE 0805RC0805JR-073K3L | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
CAP 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
특징
N 채널
20V/0.95A,RDS ((ON) = 380mΩ@VGS=4.5V
20V/0.75A,RDS ((ON) = 450mΩ@VGS=2.5V
20V/0.65A,RDS ((ON) = 800mΩ@VGS=1.8V
P 채널 -20V/1.0A,RDS ((ON) = 520mΩ@VGS=-4.5V
-20V/0.8A,RDS ((ON) = 700mΩ@VGS=-2.5V -20V/0.7A,
RDS ((ON) = 950mΩ@VGS=-1.8V
극히 낮은 RDS (ON) 를 위한 초고밀도 셀 설계
예외적인 온 저항 및 최대 DC 전류 용량
SOT-363 (SC-70-6L) 패키지 설계
응용 프로그램
z 노트북에서 전력 관리
z 휴대용 장비
z 배터리 전동 시스템
z DC/DC 변환기
z 로드 스위치
z DSC
z LCD 디스플레이 인버터
핀 배열