LMV358IDR 집적 회로 칩 출력 연산 증폭기
integrated circuit ic
,integrated circuit components
재고 제안(뜨거운 판매)
부품 번호 | 수량 | 상표 | DC | 패키지 |
MT29F8G08ADADAH4-IT:D | 2972 | 미크론 | 14세 이상 | BGA |
MT41J128M16HA-15E:디 | 2272 | 미크론 | 13+ | BGA |
MT41K256M16HA-125:E | 8138 | 미크론 | 15+ | BGA |
MT46H32M16LFBF-6IT:C | 3135 | 미크론 | 12+ | BGA |
MT46H64M16LFBF-5IT | 2231 | 미크론 | 14세 이상 | FBGA |
MT46V16M16P-5B:M | 8030 | 미크론 | 13+ | TSOP-66 |
MT46V32M16P-6T:C | 4484 | 미크론 | 05+ | TSOP-66 |
MT47H64M16HR-25E:H | 2171 | 미크론 | 15+ | FBGA84 |
MT48H16M32LFCM-75IT:B | 2188 | 미크론 | 10+ | FBGA |
MT48LC4M32B2P-7IT:G | 2362 | 미크론 | 15+ | TSOP-86 |
MT8816AP | 7107 | 자링크 | 06+ | PLCC44 |
MT9074AL | 796 | 자링크 | 14세 이상 | QFP100 |
MT9P001I12STC | 1672년 | 앱티나 | 13+ | ILCC-48 |
MTS2916A-HGC1 | 4068 | 마이크로칩 | 13+ | SOP-14 |
MTS62C19A-LS105 | 4805 | 마이크로칩 | 15+ | SOP-24 |
MUN2211T1G | 18000 | 에 | 16세 이상 | SOT-23 |
MUN5233DW1T1G | 9000 | 에 | 13+ | SOT-363 |
MUR1620CTRG | 6335 | 에 | 15+ | TO-220 |
MUR2020RG | 6651 | 에 | 13+ | TO-220 |
MUR860G | 32000 | 에 | 16세 이상 | TO-220 |
무라160T3G | 12000 | 에 | 15+ | SMA |
MURH860CT | 10280 | 에 | 04+ | TO-220 |
MURS160-E3/52T | 12000 | 비쉐이 | 16세 이상 | DO-214AA |
MURS240T3G | 12000 | 에 | 15+ | DO-214AA |
MURS360T3G | 25000 | 에 | 16세 이상 | DO-214 |
MURS480ET3G | 4189 | 에 | 13+ | DO-214AB |
뮤즈01 | 985 | JRC | 16세 이상 | 딥-8 |
뮤즈02 | 1012 | JRC | 16세 이상 | 딥-8 |
MVR22HXBRN103 | 39000 | 로옴 | 08+ | SMD |
MX25L2006EM1I-12G | 11645 | MXIC | 13+ | SOP-8 |
저전압 RAIL-TO-RAIL 출력 연산 증폭기
- 2.7V 및 5V 성능
- −40℃ ~ 125℃ 작동
- 저전력 차단 모드(LMV324S)
- 교차 왜곡 없음
- 낮은 공급 전류
- - LMV321 ...130µA(통상)
- - LMV358 ...210µA(통상)
- - LMV324 ...통상 410µA
- - LMV324S ...통상 410µA
- 레일 투 레일 출력 스윙
- ESD 보호가 JESD 22를 초과함
- − 2000-V 인체 모델(A114-A)
- − 1000V 충전 장치 모델(C101)
설명
LMV321, LMV358 및 LMV324/LMV324S는 레일 투 레일 출력 스윙이 있는 단일, 이중 및 쿼드 저전압(2.7V ~ 5.5V) 연산 증폭기입니다.표준 LMV324의 변형인 LMV324S에는 증폭기가 필요하지 않을 때 공급 전류를 채널당 최대 5µA로 줄이는 절전 셧다운 기능이 포함되어 있습니다.채널 1과 2는 함께 셧다운되고 채널 3과 4도 마찬가지입니다. 셧다운 중에는 출력이 적극적으로 로우로 풀링됩니다.
LMV321, LMV358, LMV324 및 LMV324S는 저전압 작동, 공간 절약 및 저비용이 필요한 애플리케이션을 위한 가장 비용 효율적인 솔루션입니다.이 증폭기는 5V ~ 30V에서 작동하는 LM358 및 LM324 장치를 충족하거나 능가하는 성능 사양으로 저전압(2.7V ~ 5V) 작동을 위해 특별히 설계되었습니다. LMV3xx 장치의 추가 기능은 공통 모드 입력입니다. 접지, 1MHz 단위 이득 대역폭 및 1V/µs 슬루율을 포함하는 전압 범위.
LMV321은 DBV(SOT-23) 패키지 크기의 약 절반인 초소형 DCK(SC-70) 패키지로 제공됩니다.이 패키지는 인쇄 회로 기판의 공간을 절약하고 소형 휴대용 전자 장치의 설계를 가능하게 합니다.또한 설계자는 장치를 신호 소스에 더 가깝게 배치하여 노이즈 픽업을 줄이고 신호 무결성을 높일 수 있습니다.
작동 자유 대기 온도 범위에 대한 절대 최대 정격
(달리 명시되지 않는 한)†
공급 전압, VCC(참고 1 참조) ...........................................5.5V
차동 입력 전압, VID(참고 2 참조) .....................................±5.5V
입력 전압, V나(입력 중 하나) ...............................................0~5.5V
TA = 25°C(또는 그 이하)에서 접지에 대한 출력 단락 회로(증폭기 1개)의 지속 시간,
VCC≤ 5.5V(참고 3 참조) .................................................제한 없는
패키지 열 임피던스, θ자(참고 4 및 5 참조): D(8핀) 패키지 ..............97°C/주
D(14핀) 패키지 .............섭씨 86도/주
D(16핀) 패키지 .............섭씨 73도/주
DBV(5핀) 패키지 ............섭씨 206도/주
DCK(5핀) 패키지 ............섭씨 252도/주
DDU(8핀) 패키지 ............TBD°C/W
DGK(8핀) 패키지 ............섭씨 172도/주
PW(8핀) 패키지 .............섭씨 149도/주
PW(14핀) 패키지 .............113 °C/W
PW(16핀) 패키지 ............섭씨 108도/주
작동 가상 접합 온도, T제이.......................................150°C
보관 온도 범위, Tstg ..........................................-65°C ~ 150°C
LMC6482IMX/NOPB Cmos 듀얼 레일 투 레일 입출력 작동중인 증폭기 IC
새로운 DRV602PWR 플래쉬 메모리 IC과 원종축
OPA335AIDR 전자 IC 칩 단일 공급 CMOS 운영 증폭기
OPA4228UA 다용도읜 증폭기 4 회로 14 SOIC 11 V/uS 슬루율
TL082CP 집적 회로 칩주페트 입력 연산 증폭기 높은 비틀림 비율
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이미지 | 부분 # | 기술 | |
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LMC6482IMX/NOPB Cmos 듀얼 레일 투 레일 입출력 작동중인 증폭기 IC |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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새로운 DRV602PWR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
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OPA335AIDR 전자 IC 칩 단일 공급 CMOS 운영 증폭기 |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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OPA4228UA 다용도읜 증폭기 4 회로 14 SOIC 11 V/uS 슬루율 |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
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TL082CP 집적 회로 칩주페트 입력 연산 증폭기 높은 비틀림 비율 |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
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Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
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J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
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General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
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