TLC272CDR 직접 회로 칩, Lincmos 정밀도 이중 연산 증폭기 IC 칩
electronics ic chip
,integrated circuit ic
TLC272CDR 직접 회로 칩, Lincmos 정밀도 이중 연산 증폭기 IC 칩
► 다듬어진 오프셋 전압:
TLC277 ...25°C에서 최대 500µV, VDD = 5V
►입력 오프셋 전압 드리프트 ...
일반적으로 0.1µV/월, 처음 30일 포함
►지정된 온도 범위에 걸친 광범위한 공급 전압:
0°C ~ 70°C...3V ~ 16V
–40°C ~ 85°C...4V ~ 16V
–55°C ~ 125°C ...4V ~ 16V
►단일 공급 작동
►공통 모드 입력 전압 범위는 네거티브 레일 아래로 확장됩니다(C-Suffix, I-Suffix 유형).
► 낮은 잡음 ...f = 1kHz에서 일반적으로 25nV/√Hz
►출력 전압 범위에는 네거티브 레일이 포함됩니다.
► 높은 입력 임피던스...1012Ω 일반
►ESD 보호 회로
►소형 패키지 옵션은 테이프 및 릴로도 사용 가능
►설계된 래치업 내성
설명
TLC272 및 TLC277 정밀 이중 연산 증폭기는 광범위한 입력 오프셋 전압 등급을 낮은 오프셋 전압 드리프트, 높은 입력 임피던스, 낮은 잡음 및 범용 BiFET 장치에 근접한 속도와 결합합니다.
이 장치는 Texas Instruments의 실리콘게이트 LinCMOS™ 기술을 사용하여 기존 금속 게이트 공정에서 사용할 수 있는 안정성을 훨씬 능가하는 오프셋 전압 안정성을 제공합니다.
매우 높은 입력 임피던스, 낮은 바이어스 전류 및 높은 슬루율 덕분에 이러한 비용 효율적인 장치는 이전에 BiFET 및 NFET 제품용으로 예약된 응용 분야에 이상적입니다.저비용 TLC272(10mV)부터 고정밀 TLC277(500µV)까지 4가지 오프셋 전압 등급(C-접미사 및 I-접미사 유형)을 사용할 수 있습니다.우수한 공통 모드 제거 및 공급 전압 제거와 결합된 이러한 이점으로 인해 이러한 장치는 최신 설계뿐만 아니라 기존 설계 업그레이드에도 적합합니다.
등가 회로도(각 증폭기)
재고 목록
| MIC2012YM | 6340 | 마이크렐 | 16세 이상 | 예규 |
| PCA9635PW | 12600 | 14세 이상 | TSSOP | |
| A3PN060-ZVQG100 | 3380 | 악텔 | 14세 이상 | QFP100 |
| MAX913ESA+ | 10054 | 격언 | 16세 이상 | 예규 |
| MAX8815AETB+ | 9322 | 격언 | 16세 이상 | TDFN |
| PS22A78-E | 500 | 미쓰비시 | 12+ | 기준 치수 |
| NUP4114UCW1T2G | 30000 | 에 | 16세 이상 | SC70-6 |
| MC56F8025VLD | 3586 | 프리스케일 | 14세 이상 | LQFP |
| MMUN2211LT1G | 20000 | 에 | 16세 이상 | SOD-123 |
| PIC12F1572-I/SN | 5498 | 마이크로칩 | 16세 이상 | 예규 |
| XC3SD1800A-4CSG484I | 232 | 자일링스 | 15+ | BGA |
| XC3S1600E-4FGG484I | 200 | 자일링스 | 14세 이상 | BGA |
| LT1762EMS8 | 10698 | 선의 | 16세 이상 | MSOP-8 |
| MB2S-E3 | 38000 | 비쉐이 | 16세 이상 | 예규 |
| LMV7219M5X | 4183 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| MAX3490EESA | 12900 | 격언 | 16세 이상 | 예규 |
| P89V51RD2FN | 3924 | 14세 이상 | 담그다 | |
| LMZ14201TZ-ADJ | 3107 | NSC | 14세 이상 | TO-PMOD |
| MMUN2111LT1G | 20000 | 에 | 16세 이상 | SOD-123 |
| LM5069MM-1 | 2918 | NSC | 10+ | MSOP-10 |
| LT1175IQ-5 | 9026 | 선의 | 16세 이상 | TO-263 |
| ZTX603 | 7089 | 제텍스 | 10+ | TO-92 |
| LA1851N | 3532 | 산요 | 14세 이상 | SOP30 |
| CY7C68013A-100AXC | 1684년 | 사이프러스 | 14세 이상 | TQFP100 |
| XC3S200-4TQG144I | 100 | 자일링스 | 14세 이상 | QFP144 |
| XP1050-QJ-0GOT | 100 | MA-COM | 15+ | QFN |
| MAX4073HAXK | 13150 | 격언 | 16세 이상 | 술고래 |
| MT47H64M16NF-25E:M | 7219 | 미크론 | 14세 이상 | BGA |
| LTC3446EDE | 6727 | 선의 | 14세 이상 | DFN |
| LT4356IDE-1 | 6242 | LT | 15+ | DFN |
| LTC6103HMS8 | 6103 | 선의 | 15+ | MSOP |
| BSM75GB120DN2 | 518 | EUPEC | 15+ | 기준 치수 |
| 1MBI300N-120 | 393 | 후지산 | 15+ | 기준 치수 |
| PCF7947AT | 5422 | 15+ | 예규 | |
| 88E6083 | 1112 | 마블 | 15+ | QFP |
| PGA103U | 7650 | TI | 16세 이상 | 예규 |
| LTC4066EUF | 6493 | LT | 15+ | QFN |
| LM2676T-ADJ | 1000 | NSC | 14세 이상 | TO-220 |
| PIC16F1829-I/P | 5273 | 마이크로칩 | 16세 이상 | 담그다 |
| LM98714CCMT | 2733 | NSC | 13+ | TSSOP-48 |
| MCP6H04-E/SL | 5536 | 마이크로칩 | 16세 이상 | SOP-14 |
| PCM2702E | 3500 | TI | 16세 이상 | SSOP |
| MAXQ1103-ENS | 762 | 격언 | 14세 이상 | TQFP |
| XCF32PFS48C | 406 | 자일링스 | 13+ | BGA |
| BQ24745RHDR | 2916 | TI | 15+ | QFN |
| 0402CS-24NXGLW | 4000 | 코일크래프트 | 12+ | SMD |
LMC6482IMX/NOPB Cmos 듀얼 레일 투 레일 입출력 작동중인 증폭기 IC
새로운 DRV602PWR 플래쉬 메모리 IC과 원종축
OPA335AIDR 전자 IC 칩 단일 공급 CMOS 운영 증폭기
OPA4228UA 다용도읜 증폭기 4 회로 14 SOIC 11 V/uS 슬루율
TL082CP 집적 회로 칩주페트 입력 연산 증폭기 높은 비틀림 비율
TAS5162DKDR 새롭고 원래의 주식
TL062CDR 새롭고 원래의 주식
LM324N 새롭고 원래의 주식
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
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LMC6482IMX/NOPB Cmos 듀얼 레일 투 레일 입출력 작동중인 증폭기 IC |
CMOS Amplifier 2 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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새로운 DRV602PWR 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class AB 14-TSSOP
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OPA335AIDR 전자 IC 칩 단일 공급 CMOS 운영 증폭기 |
Zero-Drift Amplifier 1 Circuit Rail-to-Rail 8-SOIC
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OPA4228UA 다용도읜 증폭기 4 회로 14 SOIC 11 V/uS 슬루율 |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-SOIC
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TL082CP 집적 회로 칩주페트 입력 연산 증폭기 높은 비틀림 비율 |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-PDIP
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TAS5162DKDR 새롭고 원래의 주식 |
Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 36-HSSOP
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TL062CDR 새롭고 원래의 주식 |
J-FET Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
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LM324N 새롭고 원래의 주식 |
General Purpose Amplifier 4 Circuit 14-PDIP
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