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TPD4E001DBVR IC 칩 집적 회로 칩 프로그램 메모리

제조 업체:
텍사스 인스트루먼트
기술:
클램프 립 전압 억제 다이오드 표면 부착 SOT-23-6
범주:
전자적 IC 칩
가격:
Negotiation
결제 방법:
전신환, 웨스턴 유니온, 페이팔
상술
온도 범위:
+150 'C에 대한 -65
지불조건:
전신환, 페이팔, 웨스턴 유니온
전압:
0.3V--7V
경향:
5A
패키지:
SOP-6
공장 패키지:
하이라이트:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

도입
 1.5pF IO 커패시턴스의 4채널 ESD 보호 어레이

특징

향상을 위한 4채널 ESD 클램프 어레이

시스템 수준 ESD 보호

• IEC61000-4-2(레벨 4) ESD 보호 요구 사항 초과

– ±8kV IEC 61000-4-2 접촉 방전

– ±15kV IEC 61000-4-2 공극 방전

• ±15kV 인체 모델(HBM)

• 5.5A 피크 펄스 전류(8/20us 펄스)

• 낮은 1.5pF 입력 커패시턴스

• 낮은 1nA(최대) 누설 전류

• 0.9V ~ 5.5V 공급 전압 범위

• 공간 절약형 DRL, DBV, DCK 및 DRS 패키지 옵션

 

설명/주문 정보

TPD4E001은 통신 회선에 부착된 민감한 전자 장치를 보호하도록 설계된 저용량 ±15kV ESD 보호 다이오드 어레이입니다.각 채널은 ESD 전류 펄스를 VCC 또는 GND로 조정하는 한 쌍의 다이오드로 구성됩니다.

     

TPD4E001은 IEC 61000-4-2에 지정된 대로 최대 ±15kV 인체 모델(HBM), ±8kV 접촉 방전 및 ±15kV 공극 방전의 ESD 펄스로부터 보호합니다.이 장치는 채널당 1.5pF IO 커패시턴스를 가지므로 고속 데이터 IO 인터페이스에 사용하기에 이상적입니다.

 

초저 누설 전류(최대 1nA 미만)는 혈당 측정기, 심박수 모니터 등과 같은 애플리케이션의 정밀 아날로그 측정에 적합합니다. TPD4E001은 DRL, DBV(SOT-23), DCK(SC-70), 및 DRS(QFN) 패키지이며 –40°C ~ 85°C 작동에 대해 지정됩니다.

 

절대 최대 등급(1)
VCC -0.3 7V VI/O
IO 전압 공차 -0.3VCC + 0.3V
Tstg 보관 온도 범위 –65 150 °C
TJ 접합 온도 150 °C
적외선(15초) 220 범프 온도(납땜) °C
증기상(60초) 215
리드 온도(납땜, 10초) 300 °C

 
주식의 일부

ATMEGA328P-MU TLP620GB
RX73BW3ATTE620J LPC812M101JDH20FP
1SMA5932BT3G ESDA6V1L
BC856BT TLC59283DBQR
SN74LS244N CA3140EZ
ADA4528-2ARMZ IRFZ46NPBF
OPA07CSZ IRF4905PBF
742792118* A30-400
OPA333AIDCKR A30-500
SAK-C167CS-LMCA A30-600
ATM46C3 A30-800
A2C56211 HFJ11-2450E-L21
U705 SDIC03 CR2354/HFN
BP3125 TMS320VC5402PGE100
PIC16F883-I/SO PCA9534DW
PIC16F883-I/SO BD677A
IRFPE50 TZM5237B-GS08
VT6315N TZM5256B-GS08
SKA3/17 TOP232PN
STK672-040E IS31AP4991-GRLSZ-TR
AM29F400BT-70ED NCS2211DR2G
TL7705ACDR LM4861MX

 

 

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