PIC18F2320-I/SP 집적 회로 칩 향상된 플래시 마이크로컨트롤러

PIC18F2220/2320/4220/4320

28/40/44핀 고성능, 향상된 플래시 마이크로컨트롤러

10비트 A/D 및 나노와트 기술 탑재

저전력 기능:

• 전원 관리 모드:

- 실행: CPU 켜짐, 주변 장치 켜짐

- 유휴: CPU 꺼짐, 주변 장치 켜짐

- 절전 모드: CPU 꺼짐, 주변 장치 꺼짐

• 전력 소비 모드:

- PRI_RUN: 150µA, 1MHz, 2V

- PRI_IDLE: 37µA, 1MHz, 2V

- SEC_RUN: 14µA, 32kHz, 2V

- SEC_IDLE: 5.8µA, 32kHz, 2V

- RC_RUN: 110µA, 1MHz, 2V

- RC_IDLE: 52µA, 1MHz, 2V

- 절전: 0.1µA, 1MHz, 2V

• 타이머1 발진기: 1.1µA, 32kHz, 2V

• 감시 타이머: 2.1µA

• 2단 발진기 시동

발진기:

• 4가지 크리스탈 모드:

- LP, XT, HS: 최대 25MHz

- HSPLL: 4-10MHz(내부 16-40MHz)

• 2개의 외부 RC 모드, 최대 4MHz

• 2개의 외부 클록 모드, 최대 40MHz

• 내부 오실레이터 블록:

- 8개의 사용자 선택 가능 주파수: 31kHz, 125kHz, 250kHz, 500kHz, 1MHz, 2MHz, 4MHz, 8MHz

- 1%로 보정된 125kHz-8MHz

- 두 가지 모드는 하나 또는 두 개의 I/O 핀을 선택합니다.

- OSCTUNE – 사용자가 주파수를 이동할 수 있습니다.

• Timer1 @ 32kHz를 사용하는 보조 오실레이터

• 안전 장치 시계 모니터

- 주변 장치 클록이 중지되는 경우 안전한 종료 허용

주변 하이라이트:

• 고전류 싱크/소스 25mA/25mA

• 3개의 외부 인터럽트

• 최대 2개의 캡처/비교/PWM(CCP) 모듈:

- 캡처는 최대 16비트입니다.분해능은 6.25ns(TCY/16)입니다.

- 비교는 최대 16비트입니다.분해능은 100ns(TCY)입니다.

- PWM 출력: PWM 해상도는 1~10비트

• 향상된 캡처/비교/PWM(ECCP) 모듈:

- 1개, 2개 또는 4개의 PWM 출력

- 선택 가능한 극성

- 프로그래밍 가능한 데드 타임

- 자동 종료 및 자동 재시작

• 호환되는 10비트, 최대 13채널 아날로그-디지털 컨버터 모듈(A/D)

프로그래밍 가능한 획득 시간

• 이중 아날로그 비교기

• 주소 지정 가능한 USART 모듈:

- 내부 오실레이터 블록을 사용한 RS-232 작동(외부 수정 필요 없음)

특수 마이크로컨트롤러 기능:

• 100,000 지우기/쓰기 주기 향상된 플래시 프로그램 메모리 일반

• 1,000,000 지우기/쓰기 주기 데이터 EEPROM 메모리 일반

• 플래시/데이터 EEPROM 보존: > 40년

• 소프트웨어 제어 하에서 자체 프로그래밍 가능

• 인터럽트의 우선순위 수준

• 8 x 8 단일 주기 하드웨어 멀티플라이어

• 확장 감시 타이머(WDT):

- 41ms에서 131s까지 프로그래밍 가능한 기간

- VDD 및 온도에 대한 2% 안정성

• 2개의 핀을 통한 단일 공급 5V ICSP™(In-Circuit Serial Programming™)

• 2개의 핀을 통한 ICD(In-Circuit Debug)

• 넓은 작동 전압 범위: 2.0~5.5V

절대 최대 등급(†)

바이어스 하의 주변 온도.................................................................. ...............................-55°C ~ +125°C

보관 온도 .................................................. .................................. -65°C ~ +150°C V에 대한 모든 핀의 전압_{봄 여름 시즌}(V 제외_DD, MCLR 및 RA4) ........ -0.3V ~ (V_DD+ 0.3V)

V의 전압_DDV에 대하여_{봄 여름 시즌}.................................................. ......................... -0.3V ~ +7.5V

V에 대한 MCLR의 전압_{봄 여름 시즌}(노트 2) .............................................. ............ 0V ~ +13.25V

V에 대한 RA4의 전압_{봄 여름 시즌}.................................................. .................. 0V ~ +8.5V

총 전력 손실(주 1) .................................................. .................................................. ..1.0W

V에서 최대 전류_{봄 여름 시즌}핀 .................................................. ...........................................300mA

V로의 최대 전류_DD핀 .................................................. ...............................................250mA

입력 클램프 전류, I_IK(V_나< 0 또는 V_나> 브이_DD).................................................. .......................... ±20mA

출력 클램프 전류, I_좋아요(V_영형< 0 또는 V_영형> 브이_DD).................................................. .................... ±20mA

모든 I/O 핀에 의해 가라앉은 최대 출력 전류.............................................. .....................................25mA

모든 I/O 핀에서 소싱되는 최대 출력 전류 ............................................ ...............................25mA

모든 포트에 의해 가라앉은 최대 전류 .................................................. ...............................................200mA

모든 포트에서 공급되는 최대 전류 .................................................. .........................................200mA

메모

1: 전력 손실은 다음과 같이 계산됩니다.

Pdis = VDD x {IDD - ∑IOH} + ∑ {(VDD-VOH) x IOH} + ∑(VOl x IOL)

2: MCLR/VPP 핀에서 VSS 미만의 전압 스파이크로 인해 80mA보다 큰 전류가 유도되어 래치업이 발생할 수 있습니다.따라서 MCLR/VPP 핀에 "로우" 레벨을 적용할 때 이 핀을 VSS로 직접 풀링하는 대신 50-100Ω의 직렬 저항을 사용해야 합니다.

† 알림: "절대 최대 정격"에 나열된 것 이상의 스트레스는 장치에 영구적인 손상을 줄 수 있습니다.이것은 스트레스 등급일 뿐이며 이 사양의 작동 목록에 표시된 조건 또는 그 이상의 다른 조건에서 장치의 기능적 작동은 암시되지 않습니다.장시간 동안 최대 등급 조건에 노출되면 장치 안정성에 영향을 줄 수 있습니다.

재고 제안(뜨거운 판매)