EMC 프로그래밍 가능한 IC 칩 컴플라이언트 슬로우 레이트 제한된 EI, 타이머 IC 칩
ic programmer circuit
,programmable audio chip
EMC 프로그래밍 가능한 IC 칩 컴플라이언트 슬로우 레이트 제한된 EI, 타이머 IC 칩
ADM483EAEZEMC 컴플라이언스 스레브 레이트 제한된 EIA RS-485 트랜시버
특징
강력한 RS-485 송신기
HBM을 이용한 15kV ESD 보호
2kV EFT 보호 IEC1000-4-4 높은
EM 면역성 IEC1000-4-3
낮은 EM 간섭에 대한 감소된 스레브 속도 250 kbps 데이터 속도
단일 +5 V 6 10% 공급
7V에서 +12V 버스 일반 모드 범위 12kV 입력 저항
단회로 보호 우수한 소음 저항성 36mA 공급 전류 0.1mA 종료 전류
응용 프로그램
저전력 RS-485 시스템 전기적으로 혹독한 환경 EMI 민감한 응용 프로그램 DTE-DCE 인터페이스 패킷 스위칭 로컬 영역 네트워크
일반 설명
ADM483E는 다점 버스 전송 라인에서의 통신에 적합한 견고하고 저전력 디퍼셜 라인 트랜시버입니다.전기적 빠른 일시 (EFT) 및 전자기 면역 (EMI) 은 전기적으로 혹독한 환경에서 작동 할 수 있습니다.. I-O 선의 ESD 보호는 인체 모델을 사용하여 테스트 할 때 ± 15 kV에 해당합니다. EFT 보호는 IEC1000-4-4에 따라 ± 2 kV에 해당합니다.EMI 면역이 IEC1000-4-3을 충족하는 10 V/m를 초과하는 동안또한 원치 않는 배기가스의 수준은 운전자의 출력을 제한하여 신중하게 제어됩니다.이 방법 은 부적절 히 끝 을 맺은 케이블 에 반사 를 줄이고 또한 전자기 간섭 을 최소화 한다제어 된 처리 속도는 데이터 속도를 250kbps로 제한합니다. ADM483E는 균형 잡힌 데이터 전송을 위해 고안되었으며 EIA 표준 RS-485 및 RS-422을 모두 준수합니다.이차 선 드라이버와 이차 선 수신기를 포함하고 반 듀플렉스 데이터 전송에 적합합니다.ADM483E의 입력 임피던스는 12 kΩ이며, 버스에 최대 32 개의 트랜시버를 허용합니다.ADM483E는 단일 +5V ± 10% 전원 공급에서 작동합니다.버스 충돌 또는 출력 단축으로 인한 과도한 전력 소모는 열 종료 회로로 방지됩니다.이 기능은 드라이버 출력을 높은 임피던스 상태로 강제합니다.결함 상태에서, 내부 드라이버 회로에서 상당한 온도 상승이 감지됩니다.수신기는 입력 장치가 연결되지 않은 경우 논리 높은 출력 상태를 초래하는 오류 안전 기능을 포함합니다 (유동)ADM483E는 BiCMOS로 제조되었습니다. 저전력 CMOS와 강력한 양극기술을 결합한 첨단 혼합 기술 프로세스입니다.그것은 산업 온도 범위에서 완전히 지정되어 있으며 8 리드 DIP 및 SOIC 패키지에서 제공됩니다..
절대 최대 등급* (다른 표시가 없는 한 TA = +25°C)
VCC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+7 V
입력 드라이버 입력 (DI). . . . . . . . . . . . . . . . 0.5V ~ VCC + 0.5V
제어 입력 (DE, RE) . . . . . . . . . 0.5V ~ VCC + 0.5V
수신기 입력 (A, B) . . . . . . . . . . . . . . . . 14V ~ +14V
출력 드라이버 출력 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5V ~ + 12.5V
수신기 출력 . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5V에서 VCC +0.5V
ESD 등급: 공기 (인체 모델) (A, B 핀) . ± 15kV
ESD 등급: 접촉 (인체 모델) (A, B 핀) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±8kV
ESD 등급 MIL-STD-883B 방법 3015 (A, B를 제외) . . . . . . . . . . . . . . . . ±3.5kV
EFT 등급 (IEC1000-4-4) (A, B 핀) . . . . . . . . . . ±2kV
EMI 면역 (IEC1000-4-3) . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V/m
전력 분산 8-핀 DIP . . . . . . . . . . . . . . . . . . 727mW θJA,
열 저항력 . . . . . . . . . . . . . . . . . +135°C/W
전력 분산 8-핀 SOIC. . . . . . . . . . . . . . . . . 470mW θJA,
열 저항력 . . . . . . . . . . . . . . . . . +110°C/W
작동 온도 범위 산업 (A 버전) . . . . . . . . . . . . . . . 40°C ~ + 85°C
저장 온도 범위 . . . . . . . . . . 65°C ~ + 150°C
납 온도 (접속, 10초) . . . . . . . . . . . +300°C
증기 단계 (60초) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215°C
적외선 (15초) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220°C