XC4VSX55-10FF1148I 프로그래밍 가능 IC 칩 플랫폼 플래시 시스템 내 프로그래밍 가능 구성 PROMS
programming ic chips
,programmable audio chip
플랫폼 플래시 시스템 내 프로그래밍 가능 구성 PROMS
특징
• Xilinx FPGA 구성을 위한 시스템 내 프로그래밍 가능 PROM
• 저전력 고급 CMOS NOR FLASH 공정
• 20,000 프로그램/지우기 주기 내구성
• 전체 산업 온도 범위(–40°C ~ +85°C)에서 작동
• IEEE 표준 1149.1/1532 Boundary-Scan(JTAG) 프로그래밍, 프로토타이핑 및 테스트 지원
• 표준 FPGA 구성의 JTAG 명령 시작
• 더 길거나 여러 개의 비트스트림을 저장하기 위한 캐스케이드 가능
• 전용 바운더리 스캔(JTAG) I/O 전원 공급 장치(VCCJ)
• 1.5V ~ 3.3V 범위의 전압 레벨과 호환되는 I/O 핀
• Xilinx Alliance ISE 및 Foundation ISE 시리즈 소프트웨어 패키지를 사용한 설계 지원
• XCF01S/XCF02S/XCF04S
* 3.3V 공급 전압
* 직렬 FPGA 구성 인터페이스(최대 33MHz)
* 소형 풋프린트 VO20 및 VOG20 패키지로 제공됩니다.
• XCF08P/XCF16P/XCF32P
* 1.8V 공급 전압
* 직렬 또는 병렬 FPGA 구성 인터페이스(최대 33MHz)
* 소형 풋프린트 VO48, VOG48, FS48 및 FSG48 패키지로 제공
* 설계 개정 기술을 통해 구성을 위해 여러 설계 개정을 저장하고 액세스할 수 있습니다.
* Xilinx 고급 압축 기술과 호환되는 내장형 데이터 압축 해제기
설명
Xilinx는 시스템 내 프로그래밍 가능 구성 PROM의 Platform Flash 시리즈를 출시했습니다.1~32메가비트(Mbit) 밀도로 제공되는 이 PROM은 대규모 Xilinx FPGA 구성 비트스트림을 저장하기 위한 사용하기 쉽고 비용 효율적이며 재프로그래밍 가능한 방법을 제공합니다.Platform Flash PROM 시리즈에는 3.3V XCFxxS PROM과 1.8V XCFxxP PROM이 모두 포함됩니다.XCFxxS 버전에는 마스터 직렬 및 슬레이브 직렬 FPGA 구성 모드를 지원하는 4Mbit, 2Mbit 및 1Mbit PROM이 포함되어 있습니다(그림 1).XCFxxP 버전에는 마스터 직렬, 슬레이브 직렬, 마스터 SelectMAP 및 슬레이브 SelectMAP FPGA 구성 모드를 지원하는 32Mbit, 16Mbit 및 8Mbit PROM이 포함되어 있습니다(그림 2).
그림 1: XCFxxS 플랫폼 플래시 PROM 블록 다이어그램
그림 2: XCFxxP 플랫폼 플래시 PROM 블록 다이어그램
절대 최대 등급
| 상징 | 설명 | XCF01S, XCF02S, XCF04S | XCF08P, XCF16P, XCF32P | 단위 | |
| VCCINT | GND에 대한 내부 공급 전압 | -0.5 ~ +4.0 | -0.5 ~ +2.7 | V | |
| VCCO | GND에 대한 I/O 공급 전압 | -0.5 ~ +4.0 | -0.5 ~ +4.0 | V | |
| VCCJ | GND에 대한 JTAG I/O 공급 전압 | -0.5 ~ +4.0 | -0.5 ~ +4.0 | V | |
| V안에 | GND에 대한 입력 전압 | VCCO< 2.5V | -0.5 ~ +3.6 | -0.5 ~ +3.6 | V |
| VCCO≥ 2.5V | -0.5 ~ +5.5 | -0.5 ~ +3.6 | V | ||
| VTS | High-Z 출력에 적용되는 전압 | VCCO< 2.5V | -0.5 ~ +3.6 | -0.5 ~ +3.6 | V |
| VCCO≥ 2.5V | -0.5 ~ +5.5 | -0.5 ~ +3.6 | V | ||
| 티사격 | 보관 온도(주변) | -65 ~ +150 | -65 ~ +150 | °C | |
| 티제이 | 접합 온도 | +125 | +125 | °C | |
노트:
- GND 아래의 최대 DC 언더슈트는 0.5V 또는 10mA 중 달성하기 쉬운 것으로 제한되어야 합니다.전환 중에 디바이스 핀은 -2.0V로 언더슈트하거나 +7.0V로 오버슈트할 수 있습니다. 단, 이 오버슈트 또는 언더슈트는 10ns 미만으로 지속되고 강제 전류는 200mA로 제한됩니다.
- 절대 최대 정격에 나열된 것 이상의 스트레스는 장치에 영구적인 손상을 일으킬 수 있습니다.이는 스트레스 등급일 뿐이며 이러한 조건 또는 작동 조건에 나열된 조건을 초과하는 다른 조건에서 장치의 기능적 작동이 암시되지 않습니다.장시간 동안 절대 최대 정격 조건에 노출되면 장치 신뢰성에 부정적인 영향을 미칩니다.
- 납땜 지침은 www.xilinx.com에서 "패키징 및 열 특성"에 대한 정보를 참조하십시오.
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