MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR 풀그릴 IC 칩, 대중적인 복잡한 직접 회로
programming ic chips
,ic programmer circuit
MT48LC32M16A2P -75IT 풀그릴 IC 칩, 대중적인 복잡한 직접 회로
특징
• PC100 및 PC133 호환
• 완전 동기식;시스템 클록의 포지티브 에지에 등록된 모든 신호
• 내부 파이프라인 운영;열 주소는 클럭 주기마다 변경될 수 있습니다.
• 행 액세스/선충전을 숨기기 위한 내부 뱅크
• 프로그래밍 가능한 버스트 길이: 1, 2, 4, 8 또는 전체 페이지
• 자동 사전 충전, 동시 자동 사전 충전 및 자동 새로 고침 모드 포함
• 자체 새로 고침 모드;표준 및 저전력
• 64ms, 4,096주기 새로고침
• LVTTL 호환 입력 및 출력
• 단일 +3.3V ±0.3V 전원 공급 장치
일반적인 설명
Micron® 128Mb SDRAM은 134,217,728비트를 포함하는 고속 CMOS 동적 랜덤 액세스 메모리입니다.내부적으로 동기식 인터페이스가 있는 쿼드 뱅크 DRAM으로 구성됩니다(모든 신호는 클록 신호의 양의 에지인 CLK에 등록됨).x4의 각 33,554,432비트 뱅크는 4,096행 x 2,048열 x 4비트로 구성됩니다.x8의 각 33,554,432비트 뱅크는 4,096행 x 1,024열 x 8비트로 구성됩니다.x16의 각 33,554,432비트 뱅크는 4,096행 x 512열 x 16비트로 구성됩니다.
SDRAM에 대한 읽기 및 쓰기 액세스는 버스트 지향적입니다.액세스는 선택한 위치에서 시작하여 프로그래밍된 순서대로 프로그래밍된 위치 수만큼 계속됩니다.액세스는 READ 또는 WRITE 명령이 뒤따르는 ACTIVE 명령의 등록으로 시작됩니다.ACTIVE 명령과 일치하여 등록된 주소 비트는 액세스할 뱅크 및 행을 선택하는 데 사용됩니다(BA0, BA1은 뱅크 선택, A0-A11은 행 선택).READ 또는 WRITE 명령과 동시에 등록된 주소 비트는 버스트 액세스를 위한 시작 열 위치를 선택하는 데 사용됩니다.
SDRAM은 버스트 종료 옵션과 함께 1, 2, 4 또는 8개 위치 또는 전체 페이지의 프로그래밍 가능한 READ 또는 WRITE 버스트 길이를 제공합니다.버스트 시퀀스의 끝에서 시작되는 자체 시간 행 사전 충전을 제공하기 위해 자동 사전 충전 기능을 활성화할 수 있습니다.
재고 목록
| MAX17015AETP | 6400 | 격언 | 16세 이상 | QFN |
| OZ2532SN | 8380 | 미크론 | 16세 이상 | SSOP |
| LTC4412ES6 | 6298 | 선의 | 16세 이상 | 술고래 |
| OZ811LN | 8400 | 미크론 | 16세 이상 | QFN |
| MAX872CSA | 9200 | 격언 | 16세 이상 | 예규 |
| NE3508M04-T2-A | 17040 | NEC | 16세 이상 | SOT-343 |
| L6203 | 2762 | 성 | 16세 이상 | 지퍼 |
| MG75J1BS11 | 620 | 도시바 | 15+ | 기준 치수 |
| MJL21193+MJL21194 | 9200 | 에 | 15+ | TO-3PL |
| 35080 | 3010 | 성 | 10+ | SOP-8 |
| LM741CH | 538 | NSC | 13+ | CAN-8 |
| MC14504BDT | 4575 | 에 | 16세 이상 | TSSOP |
| MAX3232CDBR | 11000 | TI | 15+ | SSOP |
| 6MBI100FA-060 | 438 | 후지산 | 15+ | 기준 치수 |
| MAX6350MJA | 4381 | 격언 | 14세 이상 | CDIP |
| RA45H4452M | 250 | 미쓰비시 | 11+ | 기준 치수 |
| YMF719E-S | 100 | 야마하 | 09+ | TQFP |
| MAX3232CSE | 10000 | 격언 | 16세 이상 | 예규 |
| MC145428P | 7634 | 경구 | 16세 이상 | 담그다 |
| R1127NC32P | 600 | 웨스트코드 | 13+ | 기준 치수 |
| CM600HG-130H | 203 | 미츠비 | 15+ | 기준 치수 |
| LMG7420PLFC-X | 842 | 히타치 | 13+ | 5.1LCD |
| ZVN3306FTA | 90000 | 제텍스 | 14세 이상 | SOT23 |
| MY4-DC12V | 3920 | 옴롬 | 14세 이상 | 담그다 |
| MR5060 | 6274 | 신뎅게 | 14세 이상 | 지퍼 |
| A1106LUA | 4500 | 알레그로 | 14세 이상 | SIP-3 |
| LM7807 | 4823 | UTC | 14세 이상 | TO-220 |
| LM4050CIM3X-4.1 | 5760 | NSC | 15+ | SOT-23-3 |
| MW7IC18100NBR1 | 574 | 프리스케일 | 16세 이상 | TO-272 |
| 2MBI150UM-120-50 | 293 | 후지산 | 13+ | 기준 치수 |
| M65846FP | 3139 | MIT | 16세 이상 | 예규 |
| MG75J6ES53 | 622 | 도시바 | 15+ | 기준 치수 |
| L4970A | 1398 | 성 | 15+ | ZIP-15 |
| MD7IC21100NBR1 | 586 | 프리스케일 | 16세 이상 | SMD |
| RA60H4047M1 | 600 | 미쓰비시 | 15+ | 기준 치수 |
| LMZ14201TZX-ADJ | 834 | NSC | 12+ | TO-PMOD |
| LM2665M6 | 5242 | NSC | 14세 이상 | SOT-23-6 |
| LT6700IS6-1 | 14658 | LT | 16세 이상 | 술고래 |
| LT4256-2IS8 | 6330 | LT | 16세 이상 | 예규 |
| PCA9557PW | 12560 | TI | 16세 이상 | TSSOP |
| PS11032-Y1 | 250 | 미쓰비시 | 11+ | 기준 치수 |
| SAB80C515-N | 1800년 | 지멘스 | 02+ | PLCC |
| MC33077DR2G | 13142 | 에 | 16세 이상 | 예규 |
| PS223 | 5000 | 피손 | 10+ | LQFP-64 |
| BQ725 | 2135 | TI | 15+ | QFN |
| 2MBI150U2A-060 | 483 | 후지산 | 12+ | 기준 치수 |
| MAX6250BCSA | 3954 | 격언 | 15+ | 예규 |
| BTA41-700B | 3587 | 성 | 15+ | TO-218 |
| MAX1736EUT42 | 6800 | 격언 | 16세 이상 | 술고래 |
| PCM2902E | 6056 | TI | 14세 이상 | SSOP |
| MSP3420GB8V3 | 6596 | MSP | 15+ | 담그다 |
| LTV8141 | 10000 | 리테온 | 16세 이상 | 담그다 |
| MAX6301CSA | 4076 | 격언 | 16세 이상 | 예규 |
| LM2841XBMKX | 10188 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| LMC7111BIM5 | 10000 | NSC | 14세 이상 | SOT-23-5 |
| LM3876T | 543 | NSC | 13+ | 우편-11 |
| LMC6062AIM | 4239 | NSC | 14세 이상 | SOP-8 |
| LMV431BIMF | 10000 | NSC | 15+ | SOT-23 |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축
새로운 IR2110PBF와 원종축
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
| 이미지 | 부분 # | 기술 | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|