MB85RS256BPNF-G-JNERE1 프로그래밍 가능한 IC 칩 전자 Ic 칩 컬러 TV Ic 메모리 플래시 칩
programming ic chips
,programmable audio chip
MB85RS256BPNF-G-JNERE1 프로그램 Ic 전자 Ic 칩
메모리 FRAM CMOS 256K(32K ] 8) 비트 SPI
특징:
• 비트 구성 : 32,768 × 8비트
• 작동 전원 전압: 3.0V ~ 3.6V
• 동작 주파수 : 15MHz(최대)
• Serial Peripheral Interface : SPI(Serial Peripheral Interface) SPI 모드 0(0, 0) 및 모드 3(1, 1)에 해당
• 작동 온도 범위: −20 °C ~ +85 °C
• 데이터 보존 : 10년(+55°C)
• 높은 내구성 100억 읽기/쓰기(최소)
• 패키지: 8핀 플라스틱 SOP(FPT-8P-M02)
일반적인 설명
MB85RS256은 32,768워드×8비트 구성의 FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 칩으로, 비휘발성 메모리 셀을 형성하기 위해 강유전체 공정과 실리콘 게이트 CMOS 공정 기술을 사용합니다.
MB85RS256은 SPI(Serial Peripheral Interface)를 채용하고 있습니다.SRAM과 달리 MB85RS256은 백업 배터리 없이 데이터를 유지할 수 있습니다.MB85RS256에 사용된 메모리 셀은 플래시 메모리 및 E2PROM보다 읽기/쓰기 작업이 1010배 이상 향상되었습니다.
MB85RS256은 플래시 메모리나 E2PROM과 달리 데이터를 쓰는 데 오랜 시간이 걸리지 않으며 MB85RS256은 대기 시간이 없습니다.
절대 최대 등급(1) |
전원 전압 VDD 3.0 3.3 3.6V 입력 고전압 VIH 0.8 × VDD ⎯ VDD + 0.5 V 입력 저전압 VIL − 0.5 ⎯ + 0.6 V 작동 온도 TA − 20 ⎯ + 85 °C |
트랜스 BC847BLT1 | 18000 | 에 | 중국 |
RC0805JR-0710KL | 35000 | 야게오 | 중국 |
RC0805JR-071KL | 20000 | 야게오 | 중국 |
디오도 DF06S | 3000 | 9월 | 중국 |
캡 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | 일본 |
디오도 US1A-13-F | 50000 | 다이오드 | 말레이시아 |
인듀터.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | 일본 |
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | 야게오 | 중국 |
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | 야게오 | 중국 |
디오도 P6KE180A | 10000 | 비쉐이 | 말레이시아 |
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | 야게오 | 중국 |
DIODO UF4007 탄약 | 500000 | 마이크 | 중국 |
트랜스.ZXMN10A09KTC | 20000 | 제텍스 | 대만 |
RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | 야게오 | 중국 |
아코프라도르 오티코.MOC3021S-TA1 | 10000 | 라이트온 | 대만 |
트랜스 MMBT2907A-7-F | 30000 | 다이오드 | 말레이시아 |
트랜스 STGW20NC60VD | 1000 | 성 | 말레이시아 |
CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | 태국 |
CI MC33298DW | 1000 | 경구 | 말레이시아 |
CI MC908MR16CFUE | 840 | 프리스케일 | 말레이시아 |
CI P8255A5 | 4500 | 인텔 | 일본 |
CI HM6116P-2 | 5000 | 히타치 | 일본 |
CI DS1230Y- 150 | 2400 | 달라스 | 필리핀 제도 |
트랜스.ZXMN10A09KTC | 18000 | 제텍스 | 대만 |
트라이액 BT151-500R | 500000 | 모로코 | |
CI HCNR200-000E | 1000 | 아바고 | 대만 |
트라이악 TIC116M | 10000 | TI | 태국 |
DIODO US1M-E3/61T | 18000 | 비쉐이 | 말레이시아 |
디오도 ES1D-E3-61T | 18000 | 비쉐이 | 말레이시아 |
CI MC908MR16CFUE | 840 | 프리스케일 | 대만 |
CI CD40106BE | 250 | TI | 태국 |
아코프라도르 PC733H | 1000 | 날카로운 | 일본 |
트랜스 NDT452AP | 5200 | FSC | 말레이시아 |
CI LP2951-50DR | 1200 | TI | 태국 |
CI MC7809CD2TR4G | 1200 | 에 | 말레이시아 |
디오도 MBR20200CTG | 22000 | 에 | 말레이시아 |
퓨시벨 30R300UU | 10000 | 리텔푸세이 | 대만 |
CI TPIC6595N | 10000 | TI | 태국 |
EPM7064STC44-10N | 100 | 알테라 | 말레이시아 |
디오도 1N4004-T | 5000000 | 마이크 | 중국 |
CI CD4060BM | 500 | TI | 태국 |
아코프라도르 MOC3020M | 500 | FSC | 말레이시아 |
디오도 W08 | 500 | 9월 | 중국 |
CI SN74HC373N | 1000 | TI | 필리핀 제도 |
포토센서 2SS52M | 500 | 하니웰 | 일본 |
CI SN74HC02N | 1000 | TI | 태국 |
CI CD4585BE | 250 | TI | 태국 |
CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | 미크론 | 말레이시아 |
디오도 MMSZ5242BT1G | 30000 | 에 | 말레이시아 |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축
새로운 IR2110PBF와 원종축
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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