NAND128W3A2BN6E NAND512W3A2SN6E 프로그램 IC 칩 컬러 TV IC 메모리 플래시 칩
programming ic chips
,programmable audio chip
낸드128-A, 낸드256-A 낸드512-A, 낸드01G-A 128
Mbit, 256Mbit, 512Mbit, 1Gbit(x8/x16) 528바이트/264워드 페이지, 1.8V/3V, NAND 플래시 메모리
특징:
■ 고밀도 NAND 플래시 메모리
– 최대 1Gbit 메모리 어레이
– 최대 32Mbit 예비 영역
– 대용량 스토리지 애플리케이션을 위한 비용 효율적인 솔루션
■ NAND 인터페이스 - x8 또는 x16 버스 폭
– 다중화된 주소/데이터
– 모든 밀도에 대한 핀아웃 호환성
■ 공급 전압
– 1.8V 장치: VDD = 1.7~1.95V
– 3.0V 장치: VDD = 2.7~3.6V
■ 페이지 크기
– x8 장치: (512 + 16 예비) 바이트
– x16 장치: (256 + 8 예비) 워드
■ 블록 사이즈
– x8 장치: (16K + 512 예비) 바이트
– x16 장치: (8K + 256 예비) 워드
■ 페이지 읽기 / 프로그램
– 임의 액세스: 12µs(최대)
– 순차접속 : 50ns(최소)
– 페이지 프로그램 시간: 200µs(통상)
■ COPY BACK 프로그램 모드
– 외부 버퍼링 없이 빠른 페이지 복사
■ FAST BLOCK ERASE – 블록 삭제 시간: 2ms(Typ)
■ 상태 레지스터
■ 전자 서명
■ CHIP ENABLE 'DON'T CARE' 옵션
– 마이크로컨트롤러와 간단한 인터페이스
■ 일련번호 옵션
■ 하드웨어 데이터 보호
– 전원 전환 중 프로그램/지우기 잠김
절대 최대 등급(1) |
컬렉터-베이스 전압 VCBO -60V |
트랜스 BC847BLT1 | 18000 | 에 | 중국 |
RC0805JR-0710KL | 35000 | 야게오 | 중국 |
RC0805JR-071KL | 20000 | 야게오 | 중국 |
디오도 DF06S | 3000 | 9월 | 중국 |
캡 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | 일본 |
디오도 US1A-13-F | 50000 | 다이오드 | 말레이시아 |
인듀터.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | 일본 |
RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | 야게오 | 중국 |
RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | 야게오 | 중국 |
디오도 P6KE180A | 10000 | 비쉐이 | 말레이시아 |
RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | 야게오 | 중국 |
DIODO UF4007 탄약 | 500000 | 마이크 | 중국 |
트랜스.ZXMN10A09KTC | 20000 | 제텍스 | 대만 |
RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | 야게오 | 중국 |
아코프라도르 오티코.MOC3021S-TA1 | 10000 | 라이트온 | 대만 |
트랜스 MMBT2907A-7-F | 30000 | 다이오드 | 말레이시아 |
트랜스 STGW20NC60VD | 1000 | 성 | 말레이시아 |
CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | 태국 |
CI MC33298DW | 1000 | 경구 | 말레이시아 |
CI MC908MR16CFUE | 840 | 프리스케일 | 말레이시아 |
CI P8255A5 | 4500 | 인텔 | 일본 |
CI HM6116P-2 | 5000 | 히타치 | 일본 |
CI DS1230Y- 150 | 2400 | 달라스 | 필리핀 제도 |
트랜스.ZXMN10A09KTC | 18000 | 제텍스 | 대만 |
트라이액 BT151-500R | 500000 | 모로코 | |
CI HCNR200-000E | 1000 | 아바고 | 대만 |
트라이악 TIC116M | 10000 | TI | 태국 |
DIODO US1M-E3/61T | 18000 | 비쉐이 | 말레이시아 |
디오도 ES1D-E3-61T | 18000 | 비쉐이 | 말레이시아 |
CI MC908MR16CFUE | 840 | 프리스케일 | 대만 |
CI CD40106BE | 250 | TI | 태국 |
아코프라도르 PC733H | 1000 | 날카로운 | 일본 |
트랜스 NDT452AP | 5200 | FSC | 말레이시아 |
CI LP2951-50DR | 1200 | TI | 태국 |
CI MC7809CD2TR4G | 1200 | 에 | 말레이시아 |
디오도 MBR20200CTG | 22000 | 에 | 말레이시아 |
퓨시벨 30R300UU | 10000 | 리텔푸세이 | 대만 |
CI TPIC6595N | 10000 | TI | 태국 |
EPM7064STC44-10N | 100 | 알테라 | 말레이시아 |
디오도 1N4004-T | 5000000 | 마이크 | 중국 |
CI CD4060BM | 500 | TI | 태국 |
아코프라도르 MOC3020M | 500 | FSC | 말레이시아 |
디오도 W08 | 500 | 9월 | 중국 |
CI SN74HC373N | 1000 | TI | 필리핀 제도 |
포토센서 2SS52M | 500 | 하니웰 | 일본 |
CI SN74HC02N | 1000 | TI | 태국 |
CI CD4585BE | 250 | TI | 태국 |
CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | 미크론 | 말레이시아 |
디오도 MMSZ5242BT1G | 30000 | 에 | 말레이시아 |
W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI
PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고
새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축
새로운 IR2110PBF와 원종축
S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩
W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC
MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다
485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL
SKY65336-11 새롭고 원래의 주식
이미지 | 부분 # | 기술 | |
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W25N01GVZEIG SLC 낸드 플래시 메모리 IC 3V 1G 비트 윈본드 TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK 새롭고 원래의 재고 |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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새로운 DSPIC30F3011-30I/PT 플래쉬 메모리 IC과 원종축 |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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새로운 IR2110PBF와 원종축 |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz 플래쉬 메모리 IC 칩 |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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W25Q80DVSNIG 일련의 플래시 칩 3V 8M 비트 듀얼 쿼드 Spi 메모리 IC |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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MOS 관 전계 효과 단일칩은 PWM 콘트로라도 모듈 IRF520을 운전합니다 |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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485에 대한 알에스 485 방식 모듈 TTL에 대한 MAX485, RS485 모듈 TTL |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 새롭고 원래의 주식 |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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